含铅SOT23包最佳董事会层面的可靠性,检查和工艺性gydF4y2Ba
独一无二的结合gydF4y2Ba
- ±20 ppmgydF4y2Ba
- -55 - 125°C的温度范围gydF4y2Ba
- SOT23-5包:gydF4y2Ba
- 一流在极端的温度范围内保持稳定的理想汽车和high-rel应用程序gydF4y2Ba
十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba
- 在严酷的环境下没有性能下降gydF4y2Ba
70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba
- 不可毁灭的gydF4y2Ba
可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba
- 优化EMI干扰减少到其他子系统gydF4y2Ba
SOT23-5包gydF4y2Ba
- 最佳董事会层面的焊点的可靠性gydF4y2Ba
- 简单,低成本,optical-only,董事会层面的检查焊点gydF4y2Ba
超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba
- 降低库存成本gydF4y2Ba
- 缓解短缺风险gydF4y2Ba
- 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
- 晶体替代gydF4y2Ba
- ADAS电脑gydF4y2Ba
- 汽车摄像头gydF4y2Ba
- 信息娱乐gydF4y2Ba
- 发动机和动力系统gydF4y2Ba
- 国防与航空航天gydF4y2Ba
- SiT2024 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 24.576 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
- SiT2024 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba
| 文档名称gydF4y2Ba | 类型gydF4y2Ba |
|---|---|
| 5 l-sot23包成分报告gydF4y2Ba | 成分报告gydF4y2Ba |
| 电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime冲突金属宣言gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime环境政策gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| SiTime保修日期代码gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| ISO9001:2015登记证书gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 冲突矿产报告模板gydF4y2Ba | 其他质量文件gydF4y2Ba |
| 5 l-sot23包资格报告——先进gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| SOT23凸版印刷包装可靠性报告gydF4y2Ba | 可靠性报告gydF4y2Ba |
| 台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 5 l-sot23包均匀,先进材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 博世晶片SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| WLCSP包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| SiTime环保合规声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
| 5 l-sot23包均匀材料和SGS报告,凸版印刷gydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba |
评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba——SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba
时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba
频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba
可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba
说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba在3 d -预览振荡器包gydF4y2Ba
