SIT2018BA-S2-33E-25.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

SIT2018BA-S2-33E-25.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
25 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba
25GydF4y2Ba
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-40至125GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
包装尺寸（mm x mm）GydF4y2Ba
SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
包装高度（mm）GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
违约GydF4y2Ba
特征引脚GydF4y2Ba
输出使能GydF4y2Ba
拉伸范围（PPM PR）GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆幅GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息，请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D=3000克拉GydF4y2Ba
E=1000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba
  • 带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    带领SOT23包装，以便最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。（-40至+125°C）GydF4y2Ba

  • 更好的时序边缘适合户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率，具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压GydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备进行许多设计，减少资格需求GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低G灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试顺应性（STB等）;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境下的最佳系统可靠性；GydF4y2Ba

FlexEdge公司™ 上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化电磁干扰，减少对其他子系统的干扰；GydF4y2Ba

SOT23-5封装GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单、低成本、仅光学、板级焊点检查；GydF4y2Ba

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速箱ECUGydF4y2Ba
  • XTAL替换GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSS.GydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力与能源GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包装组成报告GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX、SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔楼爵士威化SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告-CarsemGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SiTime环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告-UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba- SIT6097（2928 SOT23-5）GydF4y2Ba

时光机II编程器GydF4y2Ba–编程频率、电压、稳定性等GydF4y2Ba

频率斜率（dF/dT）计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba–获得各种运行条件下的拟合/MTBF数据GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba3D步骤模型GydF4y2Ba–3D预览振荡器包GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 9.8304MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 11.0592MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 12.288MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 13.2256256MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.7456MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1015MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 18.432MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 19.6608MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 20MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 22.1184MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.56MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.576MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 33MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 48MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 50MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 54MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 62.5MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 65MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 72MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 77.76MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 100MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，2.8 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，3.0 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
SIT2018（2.25至3.63 V）GydF4y2Ba IBIS模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
性能比较：硅MEMS经验石英振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高了时钟性能GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何在精密定时应用中测量时钟抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何用SiTime的新现场程序获得瞬时振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超强鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用中的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
与MEMS联系：机电接口GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT2018B Datasheet.GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002驱动单个或多个负载的单端振荡器终端建议GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006型発振器の印刷电路板デザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
时间発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较（耐冲撃と移动）GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器代替晶体谐振器的8大理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点——MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
ITU-T标准中的AN10052 IEEE 1588精确时间协议（PTP）GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime的时间机器II - 第1部分：如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分：如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
sot 23 5-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案（8.5x11）GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（A4）GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
Sentime MEMS时序解决方案（A4）中文GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
工业用定时解决方案GydF4y2Ba 小册子/传单GydF4y2Ba
硅替换石英（日本字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英（中文字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime Mems First工人GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的峰值系数GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba

订阅新闻和更新GydF4y2Ba