SIT2018BA-S3-33N-12.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
铅SOT23封装的最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

SIT2018BA-S3-33N-12.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
Frequency
12 MHz
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba
50GydF4y2Ba
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-40 to 125
输出类型GydF4y2Ba
LVCMOSGydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba
3.30
Package Size (mm x mm)
SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
包装高度（mm）GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
Output Drive Strength*
Default
Feature Pin
No Connect
拉力范围（PPM PR）GydF4y2Ba
药方：GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
药方：GydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
药方：GydF4y2Ba
DC-Coupled Output VOL or AC Swing
药方：GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
药方：GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息，请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D = 3,000 ct
E = 1,000
G=250克拉GydF4y2Ba
  • 铅SOT23封装的最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    铅SOT23封装的最佳板级可靠性，检查和可制造性GydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。（-40至+125°C）GydF4y2Ba

  • 更好的时间裕度户外和高温的理想选择。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率，具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压GydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • 在许多设计中使用相同的基础设备，减少鉴定需求GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低g灵敏度GydF4y2Ba

  • Improved system performance under vibration
  • 载体滴测试顺应性（STB等）;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动与振动GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • Best system reliability in harsh environments;

FlexEdge™ rise/fall time

  • Optimize EMI to reduce interference to other subsystems;

SOT23-5 package

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • Easy, low-cost, optical-only, board-level inspection of solder joints;

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • Engine & transmission ECUs
  • XTAL replacement
  • ADAS computer
  • 汽车摄像机GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS/GNSS模块GydF4y2Ba
  • Power & energy
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23 Package Composition Report 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
sitConflict Metal Declaration 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015 Certificate of Registration 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX High Temp Product Qualification Report 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23 Package Homogeneous Materials and SGS Report – Carsem RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS Report RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
sitEnvironmental Compliance Declaration RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23 Package Homogeneous Materials and SGS Report - UTAC RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估委员会GydF4y2Ba（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba–SiT6097（2928 SOT23-5）GydF4y2Ba

Time Machine II Programmer– Program frequency, voltage, stability & more

Frequency Slope (dF/dT) Calculator- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba– Get FIT/MTBF data for various operating conditions

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba三维台阶模型GydF4y2Ba– Preview oscillator packages in 3D

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT20189.8304MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 11.0592MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201812.288MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.52127MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.225625MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 14.7456MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201815MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201818.432MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201819.6608MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
20MHz低压CMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 22.1184MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201824.56MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201824.576MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201824MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 26MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 27MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 29.4912MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 33MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 40MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201848MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201850MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 54MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 62.5MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 65MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 72MHz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201877.76MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018100MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba IBIS Models
SIT2018（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba IBIS Models
SiT2018（LVCMOS，2.8伏）GydF4y2Ba IBIS Models
SiT2018（LVCMOS，3.0 V）GydF4y2Ba IBIS Models
SiT2018（LVCMOS，3.3 V）GydF4y2Ba IBIS Models
SiT2018（2.25至3.63伏）GydF4y2Ba IBIS Models
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