SIT2018BE-S3-33E-8.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
Leaded SOT23 package for best board-level reliability, inspection, and manufacturability

SIT2018BE-S3-33E-8.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
8 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba
50
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-40 to 105
输出类型GydF4y2Ba
LVCMOS
电源电压（V）GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
封装尺寸（mm x mm）GydF4y2Ba
SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
Package Height (mm)
1.45GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
特征PIN.GydF4y2Ba
输出使能GydF4y2Ba
Pull Range (PPM PR)
n/a
摊铺百分比GydF4y2Ba
n/a
摆动选择GydF4y2Ba
n/a
直流耦合输出Vol或AC SwingGydF4y2Ba
n/a
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
n/a
rohs.GydF4y2Ba
Yes

*有关详细信息，请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
d = 3,000 ctGydF4y2Ba
e = 1,000GydF4y2Ba
G = 250 ct
  • Leaded SOT23 package for best board-level reliability, inspection, and manufacturability
    放大GydF4y2Ba

    Leaded SOT23 package for best board-level reliability, inspection, and manufacturability

汽车温度±20 ppm。（-40至+125°C）GydF4y2Ba

  • Better timing margin ideal for outdoor and high-temp. operating environment

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率，具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V or 2.5 V to 3.3 V supply voltage
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • Use same base device for many design, reducing qualification needs

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Balow g-sensitivity

  • 改善了振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试顺应性（STB等）;GydF4y2Ba

70GGydF4y2Bavibration and 50,000GGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5套餐GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单，低成本，光学，电路板级检查焊点;GydF4y2Ba

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ECUGydF4y2Ba
  • XTAL替代品GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • Automotive cameras
  • Infotainment
  • Precision GNSS
  • GPS/GNSS modules
  • 电力与能量GydF4y2Ba
  • Railroads

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba Type
5L-SOT23封装组成报告GydF4y2Ba Composition Reports
Electronics Industry Citizen Coalition Template 其他优质文件GydF4y2Ba
Manufacturing Notes for SiTime Products 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
sitEnvironmental Policy 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001：2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SIT16XX，SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

Evaluation Board（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba– SiT6097 (2928 SOT23-5)

时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率，电压，稳定性和更多GydF4y2Ba

频率斜率（DF / DT）计算器GydF4y2Ba–计算温度下的频率斜率GydF4y2Ba

Reliability Calculator- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据GydF4y2Ba

SOT 23 5针GydF4y2Ba3D Step Model- 预览3D中的振荡器包GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba Type
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT20188MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201811.0592MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201813.52127MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201813.225625MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201814.7456MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201820MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201822.1184MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.56MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.576MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201826MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201827MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201829.4912MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201833MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201840MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201854MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201862.5MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201865MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT201872MHz LVCMOS 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT2018（LVCMOS，2.8伏）GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS, 3.0 V) Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS, 3.3 V) Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018（2.25 to 3.63 V) Ibis模型GydF4y2Ba
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Ultra-robust MEMS timing solutions improve performance and reliability in meter applications 白皮书GydF4y2Ba
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