SIT2018BE-S8-33N-25.000000GydF4y2Ba

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设备类型GydF4y2Ba 汽车& High Temp Oscillators
频率GydF4y2Ba
25 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
±30.GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40到105.GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
Supply Voltage (V)
3.3GydF4y2Ba
封装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
SOT23 (2.9x2.8)
包装高度(mm)GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
输出驱动强度*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
特征PIN.GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
d = 3,000 ctGydF4y2Ba
e = 1,000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。(-40至+125°C)GydF4y2Ba

  • 更好的时序边缘适合户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率,具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压GydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备进行许多设计,减少资格需求GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低G灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试顺应性(STB等);GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5套餐GydF4y2Ba

  • Best board-level solder joint reliability
  • 简单,低成本,光学,电路板级检查焊点;GydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • Mitigate shortage risks

  • 发动机和变速器ECUGydF4y2Ba
  • XTAL替代品GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSS.GydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力与能量GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23封装组成报告GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突金属宣言GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba Reliability Reports
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba Reliability Reports
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba Reliability Reports
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba Reliability Reports
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告 - CAREMGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SIT6097(2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器GydF4y2Ba——计算频率斜率温度GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据GydF4y2Ba

SOT 23 5-Pins3D步骤模型GydF4y2Ba- 预览3D中的振荡器包GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 11.0592MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 13.2256256MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.7456MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 15MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 20MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 22.1184MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.56MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.576MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 33MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
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SIT2018 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 50MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 54MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 62.5MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 65MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 72MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 100MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
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