sit2018beas1 - 33 - n - 27.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
含铅SOT23包最佳董事会层面的可靠性,检查和工艺性gydF4y2Ba

sit2018beas1 - 33 - n - 27.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车&高临时振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
27 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba
操作温度范围(°C)。gydF4y2Ba
-40年到105年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包大小(毫米x毫米)gydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
1.45gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
”一个“驱动力量gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
没有连接gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出卷或交流gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

有关详细信息,请参阅数据表gydF4y2Ba

现在购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
D = 3000 ctgydF4y2Ba
E = 1000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 含铅SOT23包最佳董事会层面的可靠性,检查和工艺性gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    含铅SOT23包最佳董事会层面的可靠性,检查和工艺性gydF4y2Ba

在汽车临时±20 ppm。(-40 + 125°C)gydF4y2Ba

  • 更好的时机保证金适合户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 之间的任何频率1 - 110 MHz的6位小数精度gydF4y2Ba
  • 1.8 V和2.5 V至3.3 V电源电压gydF4y2Ba
  • 定制规范优化系统性能gydF4y2Ba
  • 许多设计使用相同的基础设备,减少资格的需要gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低g-sensitivitygydF4y2Ba

  • 改善系统性能在振动gydF4y2Ba
  • 载体落下试验合规(机顶盒等);gydF4y2Ba

70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 最好的系统可靠性在严酷的环境下;gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI干扰减少到其他子系统;gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳董事会层面的焊点的可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,optical-only董事会层面检查焊点;gydF4y2Ba

超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
  • 电力和能源gydF4y2Ba
  • 铁路gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5 l-sot23包成分报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015登记证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5 l-sot23包资格报告——先进gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23凸版印刷包装可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5 l-sot23包均匀,先进材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5 l-sot23包均匀材料和SGS报告,凸版印刷gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba——SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba

频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba

说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba在3 d -预览振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2018 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 24.576 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018(2.25到3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS诗句石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器增强时钟性能在工业和Hi-Reliability应用程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动的精密计时程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密测量相位抖动和相位噪声时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS时机提高触屏设备的解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时医疗应用解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
Ultra-robust MEMS时机解决方案提高仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器改善电机控制应用程序的可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
联系MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT2018B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器的程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最好的设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025可靠性计算SiTime振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
电磁敏感性比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
冲击和振动的比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033频率测量振荡器的指导方针gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一™和EpiSeal™流程gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用一个振荡器的八大理由,而不是一个晶体谐振器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588精确时间协议(PTP) ITU-T标准gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器的相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS的优势时间参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第1部分:如何安装振荡器的编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第2部分:如何项目现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
说23日5针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(8.5 x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS (A4)中国时间的解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
时机工业解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba