SIT2018BEBS3-18N-8.000000GydF4y2Ba

数据表GydF4y2Ba
含铅SOT23封装，最佳板级可靠性，检测和制造GydF4y2Ba

SIT2018BEBS3-18N-8.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
8 MHzGydF4y2Ba
频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba
50GydF4y2Ba
操作温度。范围（°C）GydF4y2Ba
-40年到105年GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
LVCMOSGydF4y2Ba
电源电压（V）GydF4y2Ba
1.80GydF4y2Ba
包装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
SOT23（2.9x2.8）GydF4y2Ba
包高度(毫米)GydF4y2Ba
1.45GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
“B”驱动力量GydF4y2Ba
功能销GydF4y2Ba
没有连接GydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
摆动选择GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出电压或交流摆动GydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N/AGydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息，请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D = 3000 ctGydF4y2Ba
E = 1000GydF4y2Ba
G = 250 ctGydF4y2Ba
  • 含铅SOT23封装，最佳板级可靠性，检测和制造GydF4y2Ba
    放大GydF4y2Ba

    含铅SOT23封装，最佳板级可靠性，检测和制造GydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。（-40至+125°C）GydF4y2Ba

  • 更好的时间裕度，适合户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率，具有6位小数精度GydF4y2Ba
  • 电源电压1.8 V或2.5 V至3.3 VGydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • 在许多设计中使用相同的基础装置，减少质量要求GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低g-sensitivityGydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试顺应性（STB等）;GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI，减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5包GydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单，低成本，仅光学，板级焊点检测;GydF4y2Ba

超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
  • 晶体替代GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力和能源GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突矿物质政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23封装资格报告 - CAREMGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性等GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba三维步模型GydF4y2Ba-在3D预览振荡器包GydF4y2Ba

狭窄：GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 8 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 9.8304 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 11.0592 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 12.288 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 14.7456 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 18.432 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.576 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 27 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 29.4912 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 33 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 50 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 54 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 62.5 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 65 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 72 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 77.76 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 100 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，1.8 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，2.5 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SIT2018（LVCMOS，2.8 V）GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.0 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
SiT2018 (2.25 to 3.63 V)GydF4y2Ba 宜必思模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
在精确定时应用中如何测量时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT2018B数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
检测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较（耐冲撃と移动）GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
IEEE 1588 ITU-T标准中的PTP (Precision Time Protocol)GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分：如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
sot 23 5-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时解决方案(8.5x11)GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案（A4）GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)中文GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
硅替换石英（日本字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
硅取代石英（中文字幕）GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba

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