sit2018bers3 - 33 - n - 24.000000gydF4y2Ba

数据表gydF4y2Ba
铅SOT23封装为最佳的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

sit2018bers3 - 33 - n - 24.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
24 MHzgydF4y2Ba
频率稳定性(ppm)gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40到105gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包装尺寸(毫米x毫米)gydF4y2Ba
SOT23 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
包装高度(mm)gydF4y2Ba
1.45gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
“R”驱动强度gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
没有连接gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOL或交流摆动gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷盘选项gydF4y2Ba
D = 3000 ctgydF4y2Ba
E = 1000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba
  • 铅SOT23封装为最佳的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    铅SOT23封装为最佳的板级可靠性，检验和可制造性gydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm(-40 ~ +125°C)gydF4y2Ba

  • 更好的时间裕度理想的户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 1 - 110兆赫之间的任何频率，精度为小数点后6位gydF4y2Ba
  • 供电电压1.8 V或2.5 V至3.3 VgydF4y2Ba
  • 定制规格，以优化系统性能gydF4y2Ba
  • 使用相同的基础装置进行多个设计，减少鉴定需求gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低g-sensitivitygydF4y2Ba

  • 提高了系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 载波跌落测试符合性(STB等);gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和5万gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性;gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单，低成本，光，板级焊点检查;gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 减少库存开支gydF4y2Ba
  • 减少短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和传动ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
  • 电力与能源gydF4y2Ba
  • 铁路gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23包装成分报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环保政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的质保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品确认报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- CarsemgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合欧盟RoHS声明证书gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均质材料和SGS报告- UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba（gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba）gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时光机II程序员gydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性等gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率除以温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-获取各种工况下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

SOT 23 5针gydF4y2Ba三维阶跃模型gydF4y2Ba-预览振荡器包在3DgydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2018 7.3728MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 8.192MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 8MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 9.8304MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 9.84375MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 11.05992 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 12.288MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 12MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 13.52127MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 13.225625MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 14.7456MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 14.31818MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 15MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 16.384MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 18.432MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 19.6608MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 20MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 22.1184MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 24.56MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 24.576MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 24MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 26MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 27MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 29.4912MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 32MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 33MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 36MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 40MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 48MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 50MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 54MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 62.5MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 65MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 72MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 74.25MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 74.176MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 75MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 77.76MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 100MHz LVCMOSgydF4y2Ba 测试报告gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2018 (2.25 ~ 3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精确计时应用中测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精确定时应用中测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何用SiTime的新场编程器获得瞬时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS时序解决方案改进触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程计时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超健壮的MEMS计时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了电机控制应用的可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT2018B数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-an10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002单端振荡器驱动单负载或多负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10006発振器のpcbデザhereンのガhereドラhereンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局规范gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-an10028プロブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
memsおよび水晶ベス発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
mems発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振子的冲击与振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-an10033発振器の周波数測定ガiphone iphoneドラiphone iphone iphoneンgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンmems発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS First™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和epseal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第二部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精确定时应用中测量长周期抖动和周期抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 ITU-T标准IEEE 1588精确时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
Sc-an10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
Sc-an10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动遵从性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-改革计时市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时光机II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SOT 23 5针gydF4y2Ba 三维阶跃模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(A4)中文gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
工业定时解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS First工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071电信应用的TIE波峰因子计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算非电信应用的TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检测确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074去除有效值抖动测量中的示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba

订阅新闻和更新gydF4y2Ba