SiT5501


1 ~ 60mhz, Elite X Stratum 3E Super-TCXO

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Elite X™SiT5501是一款±10 ppb的Stratum 3E精密振荡器。这款基于mems的Super-TCXO具有出色的动态性能,是边缘网络中取代更大且不太健壮的石英mini- ocxo的理想选择。SiT5501比同类mini- ocxo小2倍,功耗低4倍,可靠性高30倍,同时完全符合GR-1244 Stratum 3E振荡器规格。通过利用SiTime独特的DualMEMS®和TurboCompensation®凭借温度传感技术,SiT5501在环境压力源(气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰(EMI))存在的情况下提供最稳定的计时。

SiT5501可以在工厂编程到任何频率、电压和拉程的组合。这种可编程性使设计人员能够优化时钟配置,同时消除了与石英tcxo相关的长交货时间和定制成本,其中每个频率都是定制的。

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10针封装精英X
“规格” “价值”
振荡器类型 TCXO-SE
频率 1 ~ 60mhz
频率稳定性(ppm) ±0.01(±10 ppb),±0.02(±20 ppb)
输出类型 LVCMOS,剪切正弦波
工作温度范围(℃) -40到+85,-40到+105
拉力范围(ppm) ±12.5±6.25±10日,±25±50,±80±100±125±150±200±400±600±800±1200±1600±3200
电压(V) 2.5, 2.8, 3.0, 3.3
包装类型(mm²) 7.0 x 5.0 10针
特性 精密TCXO,频率斜率±0.5 ppb/°C, 0.5 ppb/天老化,典型110mw (2.5V)
可用性 前期制作抽样

在气流、快温度、斜坡条件下具有卓越的动态稳定性

  • ±10 PPB超温。稳定性从-40到105°C
  • ±0.5 ppb/°C频率斜率(ΔF/ΔT), 10°C/min斜坡
    • 确保恶劣环境下电信和网络设备的系统级服务质量
  • ±0.5 ppb/天老化
  • 2e-11 ADEV平均10秒

4倍低的功率和2倍小的紧凑边缘设备

  • 110 mW典型功耗(2.5V)
  • 坚固的7.0 mm x 5.0 mm封装

振动下20倍更好的相位噪声

  • 最大限度地减少在高振动环境下的呼叫和/或链路中断

没有活动下降或微跳跃

  • 无需进行昂贵的筛选或老化测试

0.2 ps/mV电源噪声抑制(PSNR)

  • 通过消除TCXO的专用LDO来减少BOM

LVCMOS或剪切正弦波输出

  • 为EMI和抖动之间的最佳平衡进行优化

丰富的可编程功能

  • 1到60兆赫之间的任何频率
  • 2.25 ~ 3.63 V
  • 大拉力范围从±6.25±3200 ppm
    • 定制TCXO规格,以优化系统性能

通过I2C进行数字频率调谐

  • 消除单板噪声引起的频移

优越的可靠性- - - - - -减少由于时钟组件导致的现场故障和维修成本

  • MTBF为10亿小时
  • 终身保修
  • SONET/SDH层3E
  • 小细胞
  • IEEE 1588边界时钟和大师
  • 同步以太网(G.8262,选项1和2)
  • 核心和边缘路由器
  • 载波级交换机
  • 无线和回程
  • 光传输(OTN、OLT等)
  • 电缆模型终端系统(CMTS)
  • 精密GNSS
  • 宽带卫星
  • 仪表
  • COSPAS - SARSAT
  • GPS / GNSS模块
  • 智能电表
  • 资产跟踪
  • 远程通信
  • 智能农业
  • 智能城市
  • 室内定位
  • 国防与航空航天

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