是的。使用我们的网上交叉参考工必威博彩是哪个国家的具．如果您需要额外的帮助，请联系您当地的销售代表说明石英XO的部件编号，包括首选封装、工作温度范围和VDD。

相当于SiTime系列的SiT1602和SiT800x可以替代所有的silabs CMEMS振荡器。可以找到这些家庭的数据表在这里．

所有Discera单端（SE）振荡器都可以由列出的inviee se等效部分取代在这里．
所有的差分端(DE)振荡器都可以用列出的SiTime DE等效部件替换在这里．

是的。所有SiTime产品均通过RoHS认证。

请访问质量和可靠性部分的网站。你需要成为一个挂号的用户从本节下载文档。

不，他们不是。

“活动下降”被定义为石英晶体振荡器中频率的突然变化。基于晶体的振荡器在临界温度下经常表现出活动下降，当温度偏离临界值时，就会突然恢复正常行为。

活动减少最常见的原因有:

1. “耦合模式” - 不同温度系数的不同晶体振荡模式的碰撞。
2. 晶体包内的水分凝结到石英石板上。

所有这些效应都能破坏能量的主要振荡模式，有效地导致晶体脱离振荡或暂时以不同的晶体模式振荡。

基于SiTime mems的振荡器不会受到这些影响，原因有二:

1. SiTime MEMS振荡模式主要由硅的材料特性决定;所有模态或杂散响应特性随温度变化的方式与基本振荡模态完全相同。因此，不同的模态永远不会在相同的频率上相互作用，从而导致倾斜。
2. SiTime的MEMS First™工艺使用标准的硅制造技术，在非常高温、清洁、真空的环境中密封MEMS。这为MEMS创造了一个极其清洁、无潮湿的环境，并消除了污染或潮湿导致活动下降的可能性。

SiTime使用行业标准流程，通过加速生命周期压力测试(如HTOL)对产品进行可靠性认证。

SiTime发布的关键可靠性指标是FIT或(故障及时)，它提供了设备运行10亿小时后的预期故障数量的估计。一个相关的度量是MTBF(平均故障间隔时间)，它是FIT的逆。

其他可靠性指标有:
EFR -早期失败结果
ESD—静电放电
陆-封闭
MS -机械冲击
VFV -变频振动
VF -振动疲劳
CA—恒加速度

所有恒星产品都是使用我们强大的6秒形工艺设计和带入生产的。产品完全有特色和合格的JEDEC和AEC标准。为了确保最高质量，Sentime在每个生产批次的零件样本上的温度范围内执行批量验收测试（LAT）。

SiTime的超高质量已经在数亿台产品的出货中得到了证明。我们的实际现场回报率低于2dppm，在半导体行业中名列前茅。经过6年多的出货，SiTime没有发生过一次MEMS现场故障。

FIT (Failure in Time)是基于加速测试(JEDEC22-A108)和基于被测试设备的故障模式应用加速因子的统计外推值。不同产品之间的FIT率差异是由于每个产品压力测试的设备小时数不同。在生成可靠性报告时上报FIT号。有关最新的FIT值，请参阅最新的可靠性报告。//www.longgekangyuan.com/必威体育官网手机登录support/quality-and-reliability magictabs_eDH8P_3。

所有境内产品均有相同的底层技术和过程。截至2015年10月，境内应力测试了数千个振荡器，累计测试时间为3,307,000个没有故障的设备，导致计算拟合值为0.88或MTBF，1,140万小时。

SiTime MEMS振荡器采用MEMS谐振器和CMOS芯片，采用标准的半导体封装工艺。由于到目前为止，> 2.5亿产品中还没有出现过MEMS谐振器故障，所以我们无法计算MEMS的激活能(Ea)。因此，我们使用行业标准Ea = 0.7 eV的CMOS作为产品的Ea。我们使用设备最坏情况元素的Ea作为Ea来计算我们产品的可靠性度量、FIT和MTBF。有关我们如何计算FIT/MTBF值的更多细节，请参阅应用说明SiTime振荡器的可靠性计算．

SiTime的EpiSeal™工艺是实现MEMS谐振器极其稳定的关键要素之一，该工艺在晶圆加工过程中betway开户官网对谐振器进行密封，消除了任何密封陶瓷封装的需要。SiTime的EpiSeal谐振器不受大气中浓度最高的元素、氮气和氧气的影响，因此起到了完美的密封作用。前几代EpiSeal谐振器可能受到大量的小分子气体。更新的EpiSeal谐振器对所有人都是不受影响的小分子气体。如果您计划大量使用SiTime设备，请联系SiTime小分子气，这样我们可以推荐一个合适的，免疫的部分。

SiTime MEMS振荡器的设计可实现对电磁干扰的最佳弹性。电磁干扰敏感性(EMS)的工业标准测量和性能图记录在应用说明中MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较．

SiTime MEMS振荡器被设计成比类似的石英部件更低的振动灵敏度和极好的抗冲击性能。它们被设计成对冲击和振动具有最好的弹性，行业标准测量和冲击和振动的性能曲线都记录在应用笔记中MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较。

MHz振荡器的电源噪声灵敏度(PSNR)是根据在指定噪声频率下注入电源噪声的每mV诱发的抖动量来量化的。SiTime MEMS MHz振荡器的设计可在10khz至20mhz频率的注入电源噪声中实现最佳的PSNR性能，每mV集成相位抖动(12 kHz至20 MHz)，低至0.21 ps。

用于kHz振荡器系列(SiT153x, SiT1552, SiT1630)的电源噪声灵敏度(PSNR)是根据频率偏差进行量化的，在10khz到10mhz的频率范围内，峰值至峰值正弦噪声注入300mV。上述振子族的PSNR图在个人中提供数据表．

SiTime建议使用100毫秒或更长的门时间与高分辨率频率计数器，如安捷伦53131/2A和安捷伦53230A。对于SiT15xx系列微功率32khz振荡器的精确频率测量，频率计数器必须具有高稳定性OCXO参考或由GPS或铷原子钟参考。对于其他仪器，如时间间隔分析仪或简单计数器，建议门时间为1秒或更高。详情请参阅申请须知32kHz SiT15xx振荡器的测量指南．

SiT15xx器件的典型空载工作电源电流在室温下约为850na，这取决于输出级的电压波动。当测量电源电流至纳米安培范围时，必须使用类似安捷伦34401A的高分辨率数字电流表。详情请参阅申请须知32kHz SiT15xx振荡器的测量指南．

CSP包的布局建议可以在应用说明中找到最佳设计和布局实践．生产指南列在第10页SiT1532数据表．

2012年包的布局建议可以在应用笔记中找到最佳设计和布局实践．生产指南列在第9页SiT1533数据表．

我们的超高效单端SiT820x家庭和differential-endedSiT912x系列提供了最好的抖动裕度作为参考时钟以下串行接口。

• USB 2.0
• PCIe 1.0, PCIe 2.0, PCIe 3.0
• SAT-2, SAT-3
• SAS、SAS-2 SAS-3
• 1 10和40 GbE
• 1 gfc, 2 gfc 4 gfc

对于功率敏感的应用，我们的低功率单端振荡器系列SIT1602，SiT8008/9，SIT1618，SiT891x，SiT892x推荐用于以下接口。

• USB 2.0
• SAT-2, SAT-3
• SAS、SAS-2 SAS-3
• 环氧树脂
• 对1 GbE

峰值-峰值周期-周期抖动(C2C)可以从以下数据表中指定的周期抖动(PerJ)规格计算出来。
C2C_rms =√3* PerJ_rms
C2C_p-p = 2 * 3.09 * C2C_rms，用于1000个样品

例如:SiT9120的峰值-峰值C2C抖动为12.8 ps p-p典型和18.2 ps p-p最大值。

你可以发现相位抖动在最常见的频率在我们在线相位噪声和抖动计算器．特定电源电压和输出频率的周期抖动可以在SiTime产品数据表中找到。在相同的VDD条件下，同一系列的所有SiTime设备将在所有支持的频率上显示相似的周期和相位抖动。必威体育官网手机登录中还提供了周期和相位抖动值Frequency-Specific测试报告．

SiTime的相位噪声和抖动计算器允许您计算集成相位抖动(RMS)和绘制相位噪声数据。

相位噪声图也包括在SiTime的Frequency-Specific测试报告．

有关在线工具或报告未涵盖的频率，请联系SiTime销售支持团队(必威体育官网手机登录电子邮件要么在线表单)，并指定以下内容。

• 基类部件编号(SiT1602, SiT820x等)
• 公称频率(Hz)
• VDD (1.8/2.5/3.3) in volts
• 在Hz中启动频率偏移（10,100,1k）

为了快速估计，使用下面的公式来推导特定频率的相位噪声:

PNs = PNi + 20*Log (Fs/Fi)

在哪里;
发布相位噪声的标称频率
要求相位噪声的标称频率
PNI发表相位噪声

PNS - 特定标称频率的阶段噪声

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动电容负载。在上升边缘期间，设备从电源吸取电流以给负载电容充电。在下降边缘时，电容放电到GND。通过负载的平均电流取决于以下参数:

输出频率(输出端)。这决定了从电源中吸取电流的频率。

1. 负载电容值(Cload)。更大的电容值需要更多的电流来给负载电容充电。
2. 电源电压(Vdd)。需要更多的电流将负载充电到更高的电压。

负载的附加供电电流计算如下:

I_load = load * Vdd * Fout

输出频率F1处的空载电流消耗可估计为(1)数据表中规定的参考频率F0处的空载电流和(2)两个频率间驱动电流在内部电容上的差值，公式如下:

Idd_nl_f1 = idd_nl_f0 + cint·VDD·(f1 - f0)

在哪里：
IDD_NL_F1:频率F1的空载电流消耗，
IDD_NL_F0:在频率F0时，数据表中指定的无负载电流消耗，
VDD:电源电压，
CINT：内部电容是：
6.5 pF(典型)和8 pF(最大)适用于SiT1602, SiT8008/9, SiT1618, SiT8918/9, SiT8920/1/4/5系列
2208/9，SIT8225，SIT3701，SIT3701，SIT8102，SIT3701，SIT8102家庭

请参阅申请须知附录C的表格单端振荡器驱动单或多负载的终止建议．

是的。SiTime振荡器采用可编程架构设计，可以配置多个参数，包括任何输出频率(精度为6小数)、频率稳定性(ppm)和设备工作范围内的电源电压。附加功能，如驱动强度可以编程和引脚1的功能可以改变，以匹配应用要求。有关规格选项的详细信息，请参阅产品数据表中的订购信息页面。

根据数量和交货期的要求，SiTime振荡器可以在工厂为产量(三到五周的交货期)编程，由特定的授权分销商编程(24小时交货期)，或立即在现场使用a时间机器二世用于样本卷的便携式程序员。

大多数SiTime振荡器的特征引脚(引脚1)可以被编程为“输出使能”(OE)或“备用”(ST)功能。在这两种情况下，拉引脚1低停止设备输出振荡，但以两种不同的方式，如下所述。

对OE引脚应用逻辑Low只会禁用输出驱动程序并将其置于Hi-Z模式，但设备的其余部分仍在运行。由于输出不活跃，功耗降低。例如，对于3.3 v的SiT8003 20 MHz设备，在15 pF负载下，IDD从4 mA降低到3.3 mA。当OE引脚被拉高时，输出通常能在少于1 us的时间内实现。

当ST引脚被拉低时，带有ST引脚的设备进入待机模式。器件的所有内部电路都关闭，电流降低到一个备用电流，通常在几个微安的范围内。当ST被拉高时，设备会经历“恢复”过程，这可能需要3到10毫秒。备用当前和恢复时间周期在设备数据表中指定。一些SiTime数据表没有明确指定恢复时间;在这种情况下，写简历的时间和“启动时间”是一样的。

是的。具有单端LVCMOS输出的频次设备通常指定为15 PF电容负载，用于上升和下降时间。该装置可以驱动更大的负载，高达60 PF，较慢的上升和跌倒时间。对于需要快速上升和跌倒时间（〜1ns）和驱动大电容负载的能力的应用，可根据要求提供具有高驱动强度输出的缓冲器设备。接触sit为更多的细节。

是的。用户可以通过改变驱动电流强度来调整SiTime振荡器的输出缓冲器。通过增加或减少输出级的最大驱动电流，可以分别减少或增加上升和下降时间。高驱动电流强度，使更快的上升和下降时间，同时驱动更大的负载。低驱动电流强度降低时钟边缘转换速率，降低潜在的电磁干扰。

SITIME提供现场可编程振荡器，以便使用时间机器二世，一个振荡器程序，允许用户配置各种参数，包括上升和下降时间。

请参阅SiTime数据表了解更多细节或联系方式sit用于订购传动强度较大的零件。

是的。Sitime提供现场可编程振荡器，适用于Time Machine™II，一个完整的便携式编程套件。该工具可以编程频率，电压，稳定性和其他功能特性，例如驱动强度或扩频。程序员和现场可编程设备是通过使用定制频率的即时样本或调节驱动强度来快速原型设计和优化系统性能的理想选择。现场可编程振荡器具有行业标准的脚印，因此它们可以用作遗留石英振荡器的替代品，而无需任何板变化。看时间机器二世获取详细信息。

SiTime提供了以下系统内可编程性选项:

I2C / SPI振荡器具有差分输出（SiT3951和SiT3552)通过I2C或0.005 ppb分辨率的SPI，使拉/调谐频率可达±3200 ppm，为设计人员提供了极大的灵活性。

具有LVCMOS输出的数字控制振荡器（DCXO）（SIT3907.)及差分输出(SIT3921.和SiT3922）。这些振荡器允许用户在窄范围内（最多±1600ppm）和1 ppb分辨率在窄范围内动态地改变输出频率。

在许多VCXO应用中，这些器件也取代了模拟接口。

SiTime MEMS振荡器提供了两种可配置特性，无需对PCB设计进行任何修改，即可解决环境遵从性的EMI问题。

1. 可编程的驱动力量
   1. 降低驱动强度会增加时钟波形的上升-下降时间，从而衰减高次谐波的电磁波功率
   2. 驱动器强度表在数据表中列出支持的驱动器强度，可实现的上升-下降时间的各种负载电容从5 pf必威体育官网手机登录到60 pf
   3. 有效缓解电磁源的时钟跟踪
2. 扩频时钟
   1. 必威体育官网手机登录支持中心和向下传播达到高达-17分贝衰减的三次谐波和更高的电磁波
   2. 扩频范围：±0.25％至±2％中心，差价-0.5％至4％蔓延
   3. 在系统层面有效缓解EM

有关更多信息，请参见扩频振荡器页或应用程序注意SiTime扩频时钟振荡器．

大部分单片机和FPGA的设计都是以同步数字块的形式实现的。这些块的时钟树来自一个公共的外部时钟引用。SiTime建议使用向下扩展时钟源，以确保这些块中的关键计时路径的设置和保持时间不会违反进程、VDD和温度。

有关更多信息，请参见扩频振荡器页或应用程序注意SiTime扩频时钟振荡器．

SiTime建议在所有MHz振荡器的VDD和GND引脚附近放置0.1 uF的低ESR多层陶瓷芯片电容器。

对于< 1 MHz振荡器系列(SiT153x, SiT1552或SiT1630)不需要旁路电容。这些系列的内部散装滤波，提供足够的电源滤波噪声高达300毫伏峰-峰和10兆赫频率成分。

VDD上的LC滤波器和RC滤波器都可以用于电源噪声滤波。LC滤波器具有更小的压降，是IDD > 5 mA振荡器系列的首选。RC滤波器可用于5毫安以下的振荡器。详情请参阅应用说明最佳设计和布局实践．

不。数据表中的工作电源电压公差指定了设备已被描述的直流电压范围。这种直流电压容差，通常是额定VDD的10%，不应与电源电压上的交流噪声纹波混淆。电压电源的抗交流噪声能力由电源噪声灵敏度(PSNS)定义，PSNS测量在一定的电源噪声频谱范围内，交流噪声纹波引起的附加抖动量。

在大多数应用中，LVCMOS振荡器驱动电容负载。在上升边缘期间，设备从电源吸取电流以给负载电容充电。在下降边缘时，电容放电到GND。通过负载的平均电流取决于以下参数:

输出频率(输出端)。这决定了从电源中吸取电流的频率。

1. 负载电容值(Cload)。更大的电容值需要更多的电流来给负载电容充电。
2. 电源电压(Vdd)。需要更多的电流将负载充电到更高的电压。

负载的附加供电电流计算如下:

I_load = load * Vdd * Fout

请参阅申请须知附录C的表格单端振荡器驱动单或多负载的终止建议．

是的。具有单端LVCMOS输出的频次设备通常指定为15 PF电容负载，用于上升和下降时间。该装置可以驱动更大的负载，高达60 PF，较慢的上升和跌倒时间。对于需要快速上升和跌倒时间（〜1ns）和驱动大电容负载的能力的应用，可根据要求提供具有高驱动强度输出的缓冲器设备。接触sit为更多的细节。

我们不提供时钟风扇输出缓冲器。然而，我们的时钟驱动程序可以配置为驱动多个负载。详情请参阅申请须知单端振荡器驱动单或多负载的终止建议

不。32khz的磁粉振荡器的旋转速率在10s的量级。因此，在多达10“迹线的末端可以驱动多个负载，而无需考虑信号完整性或反射。详情请参阅申请须知32 kHz纳米功率MEMS振荡器驱动多负载．