1到110 MHz,低功率振荡器

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SiT8008B是业界最低功率的可编程振荡器。它具有最宽的频率范围,最低的功耗,最小的尺寸,最好的稳定性和最短的交货时间,适用于消费者,网络,工业和其他应用。连续的1.8 V至3.3 V供电电压可以整合库存并确认单个设备配置。

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查看相关产品:115至137兆赫|SOT23-5包|-40 + 125°C|< 1ps相位抖动|XO阵容

适用于所有频率、电压和稳定性的小型2016和2520封装的行业标准占地面积
频率 1 ~ 110 MHz
频率稳定度(ppm) ±20±25±50
相位抖动(rms) 1.3 ps
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(°C) -20到+70,-40到+85
FlexEdgeTM上升/下降时间 是的
供电电压(V) 1.8, 2.5到3.3,1.8到3.3
²包类型(毫米) 2.0x1.6, 2.5x2.0, 3.2x2.5, 5.0x3.2, 7.0x5.0
特性 现场可编程
可用性 生产

可配置的特性集

  • 1到110兆赫的任何频率,精度为6位小数点
  • 稳定性从±20ppm到±50ppm
  • 工业或扩展商业温度。
  • 1.8 V, 2.5 V到3.3 V, 1.8 V到3.3 V供电电压
  • 为优化系统性能定制规格
  • 在多个设计中使用相同的基础装置,减少了资质要求;

小型2016和2520封装,适用于所有频率、电压和稳定性

  • 节省更多的板空间,而不影响性能和可用性

低功耗

  • 典型待机电流(1.8 V)
  • 3.6 mA典型有效电流(1.8 V)
  • 在便携式应用程序中延长电池寿命
  • 减少绿色系统的电力消耗;

FlexEdge™可配置的驱动强度

  • 更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件来节省成本;

超快交货时间(4至6周)

  • 降低库存成本
  • 缓解短缺风险

  • 以太网
  • 火线
  • USB
  • 音频和视频
  • SATA / SAS
  • 光纤通道
  • 固态硬盘(SSD)
  • 存储、服务器和数据中心
  • 计算机服务器
  • 处理器时钟
  • FPGA时钟
  • 组网交换机和网关
  • 闭路电视及监控设备
  • 工业探头及设备
  • 医疗设备
  • 串行数据链接
  • 光纤、电缆、DSL
  • CPE &家庭网关
  • 安全设备
  • 数据中心
  • 工厂自动化
  • 安全与监测
  • 医疗电子设备
  • 电力和能源
  • 测试和测量
  • 零售电子产品
  • 远程通信
  • 室内定位
  • 无线充电
  • 消费电子产品
  • 家庭娱乐
  • 虚拟现实和基于“增大化现实”技术
  • 个人电脑
  • 家庭自动化
  • 音频和视频
  • 家用电器

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime产品的制造说明 其他质量文件
SiTime冲突矿产政策 其他质量文件
SiTime环境政策 其他质量文件
SiTime日期代码担保 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- UTAC 可靠性报告
4L-QFN包装确认报告- ASE 可靠性报告
SiT1602产品确认报告 可靠性报告
4L-QFN包装鉴定报告- Carsem 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
Tower Jazz Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
BOSCH Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
WLCSP包装同质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
西泰环保合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合证书-欧盟RoHS声明 RoHS /实现/绿色证书
冲突矿产报告模板 其他质量文件

Eval董事会接触SiTime- - - - - -SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)

时光机器II程序员- - - - - -程序频率,电压,稳定性等

可靠性的计算器- - - - - -获取各种运行条件下的FIT/MTBF数据

2016年4-Pins|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032年4-Pins|7050年4-Pins-使用QFN3 d步模型

狭窄:

资源名称 类型
SiT8008 4.096 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 4 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 6 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 7.3728 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 8.192 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 10 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 14 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 18.432 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 19.2 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 24.576 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 24 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 25.000625 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 25兆赫LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 26 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 27 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 28.6363 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 30 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 31.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 32.768 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.3 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.33 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.3333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33.33333 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 33 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 37.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 38.4 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 38 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 40.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 40 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 48 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 50 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 54 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 60 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 62.5 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 65 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.6 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.66 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.6666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 66.66666 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 72 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 74.25 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 74.176 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 74.175824 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 77.76 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 100 mhz LVCMOS 频率测试报告。
SiT8008 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT8008 (LVCMOS, 2.8 V) 宜必思模型
SiT8008 (LVCMOS, 3.0 V) 宜必思模型
SiT8008 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiT1602 (LVCMOS, 2.5至3.3 V连续) 宜必思模型
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硅MEMS振荡器为LED照明提供优势 白皮书
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mems谐振器和振荡器正在取代石英 演讲
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SiT8008数据表 数据表
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QFN 2016 4-Pins 3 d步模型
QFN 2520 4-Pins 3 d步模型
QFN 3225 4-Pins 3 d步模型
QFN 5032 4-Pins 3 d步模型
QFN 7050 4-Pins 3 d步模型
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计算非电信应用的TIE峰值因子 应用笔记
通过检验确定相位噪声的主要来源 应用笔记
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