标准频率，高温振荡器GydF4y2Ba
登录GydF4y2Ba该SiT1618B可在33个标准频率，从7.3728 MHz到48 MHz，和两个温度范围，除工业和汽车。该振荡器具有±20ppm的稳定性，小2.0 x 1.6 mm封装(4个其他封装可用)，3.6 mA低功耗，和一流的冲击和振动。GydF4y2Ba
SiT1618与石英晶体振荡器兼容，使其成为石英器件的理想替代品，无需改变设计。GydF4y2Ba
对于SOT23-5封装的类似设备，请参见GydF4y2BaSiT2018BGydF4y2Ba振荡器。GydF4y2Ba
程序振荡器得到即时样品，优化的性能，和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba
查看相关产品:GydF4y2Ba1到110 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2Ba115至137兆赫GydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车和高温阵容GydF4y2Ba
| 振荡器类型GydF4y2Ba | XO-SEGydF4y2Ba |
| 频率GydF4y2Ba | 33标准频率GydF4y2Ba |
| 频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba | ±20±25±50GydF4y2Ba |
| 相位抖动(rms)GydF4y2Ba | 1.3 psGydF4y2Ba |
| 输出类型GydF4y2Ba | LVCMOSGydF4y2Ba |
| 工作温度范围(°C)GydF4y2Ba | -40至+105，-40至+125GydF4y2Ba |
| FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba | 是的GydF4y2Ba |
| 供电电压(V)GydF4y2Ba | 1.8,2.5至3.3GydF4y2Ba |
| ²包类型(毫米)GydF4y2Ba | 2.0x1.6,2.5x2.0，3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba |
| 特性GydF4y2Ba | 现场可编程，高温125°CGydF4y2Ba |
| 可用性GydF4y2Ba | 生产GydF4y2Ba |
所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年GydF4y2Ba
SIT1618引脚分配采用可编程引脚1，可设置为输出使能，待机或无连接以优化功耗GydF4y2Ba
可配置的FlexEdge驱动强度通过减缓上升/下降时间来降低EMI，例如，通过将上升/下降沿从周期的5%增加到45%，第11次时钟谐波降低了35 dBGydF4y2Ba
±20ppm超过汽车温度。(-40至125°C)GydF4y2Ba
- 更好的时间裕度，适合户外和高温操作环境GydF4y2Ba
可配置的特性集GydF4y2Ba
- 33标准频率在7.3728 MHz和48 MHz之间GydF4y2Ba
- 1.8 V或2.5 V至3.3 V供电电压:GydF4y2Ba
- 为优化系统性能定制规格GydF4y2Ba
- 使用相同的基础设备，以减少资格需求的许多设计GydF4y2Ba
0.1 ppb/g低g灵敏度GydF4y2Ba
- 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
- 载波跌落测试符合性(机顶盒等)GydF4y2Ba
70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba冲击GydF4y2Ba
- 在恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba
- 更少的产品失败GydF4y2Ba
FlexEdge™驱动力量GydF4y2Ba
- 更慢的上升/下降时间，最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰GydF4y2Ba
- 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本GydF4y2Ba
5个行业标准包GydF4y2Ba
- 100%替换石英晶体振荡器GydF4y2Ba
超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba
- 减少库存开销GydF4y2Ba
- 缓解短缺风险GydF4y2Ba
- 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
- 晶体替代GydF4y2Ba
- ADAS电脑GydF4y2Ba
- 汽车摄像头GydF4y2Ba
- 信息娱乐GydF4y2Ba
- SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 12.288 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 24 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 27 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 32 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 36 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
| 文档名称GydF4y2Ba | 类型GydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba | 成分报告GydF4y2Ba |
| 电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| 环境冲突矿物质政策GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| SiTime环境政策GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| 日期代码的境内保修GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| 恒温振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- UTACGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装确认报告- ASEGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装鉴定报告- CarsemGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| 塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| 4L/6L-QFN包装材料及SGS报告GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| WLCSP包装同质材料和SGS报告GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| 西泰环保合规声明GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| 合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba | RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba |
| 冲突矿物报告模板GydF4y2Ba | 其他质量文件GydF4y2Ba |
| SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
Eval董事会GydF4y2Ba（GydF4y2Ba接触SiTimeGydF4y2Ba的）GydF4y2Ba- SIT6095（2016）|SIT6081（2520）|SIT6082（3225）|SIT6083（5032）|SIT6084（7050）GydF4y2Ba
可靠性的计算器GydF4y2Ba- 获取适合/ MTBF数据，适用于各种操作条件GydF4y2Ba
时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性等GydF4y2Ba
频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba
2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050年4-PinsGydF4y2Ba- QFN预览包GydF4y2Ba3 d步模型GydF4y2Ba
