115至137 MHz,高温振荡器(-40至+125°C)GydF4y2Ba

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在最小的2.0 × 1.6 mmxmm封装中,SiT8919B必威体育官网手机登录扩展频率支持高达137 MHz,同时在高温(高达125°C)下保持良好的稳定性(±20ppm),这是石英不容易获得的组合。该设备还具有行业最佳的抗冲击和振动性能。GydF4y2Ba

SiT8919采用了行业标准的封装和封装,因此在没有任何设计更改的情况下取代了石英。GydF4y2Ba

程序振荡器得到即时样品,优化的性能,和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba

查看相关产品:GydF4y2Ba1到110 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2BaSOT23-5包GydF4y2Ba|GydF4y2Ba-55至+ 125°CGydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车和高温阵容GydF4y2Ba

所有频率、电压和稳定性的五个行业标准占地面积小至2016年GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SEGydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 115至137兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20±25±50GydF4y2Ba
相位抖动(rms)GydF4y2Ba 1.3 psGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba -40至+105,-40至+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
供电电压(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3GydF4y2Ba
²包类型(毫米)GydF4y2Ba 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba
特性GydF4y2Ba 现场可编程,高温125°CGydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • 高频(115至137 MHz)GydF4y2Ba
  • ±20 ppmGydF4y2Ba
  • 汽车温度。(-40至125°C)GydF4y2Ba
  • 最小封装(2.0 x 1.6 mmxmm)GydF4y2Ba
    • 更好的时间裕度,适合空间有限,户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低GydF4y2BaGGydF4y2Ba灵敏GydF4y2Ba

  • 改善系统在振动下的性能GydF4y2Ba
  • 更简单的载波跌落测试依从性GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba冲击GydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量GydF4y2Ba

  • 更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的电磁干扰GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本GydF4y2Ba

5个行业标准包GydF4y2Ba

  • 100%滴入式替换石英XOGydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险GydF4y2Ba

  • 工业传感器GydF4y2Ba
  • 伺服电机GydF4y2Ba
  • 工业控制系统GydF4y2Ba
  • 高温。网络齿轮GydF4y2Ba
  • 医学视频凸轮GydF4y2Ba
  • 资产追踪GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
环境冲突矿物质政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiTime环境政策GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
恒温振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装材料及SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他质量文件GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba

Eval董事会GydF4y2Ba(GydF4y2Ba接触SiTimeGydF4y2Ba的)GydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba- 获取适合/ MTBF数据,适用于各种操作条件GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050年4-PinsGydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SiT8919 125 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SiT8919 133 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 频率测试报告。GydF4y2Ba
SIT8919(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 3.0 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT8919 (LVCMOS, 2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备的性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供了益处GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SiT8919数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
单端振荡器驱动单或多负载的终止建议GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブを使使使し発振たの与力GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
检测振荡器输出GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインGydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性与测量技术GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10062振荡器相位噪声测量指南GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
Sentime Mems振荡器 - 彻底改变时机市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4-PINSGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsGydF4y2Ba 3 d步模型GydF4y2Ba
工业时序解决方案GydF4y2Ba 小册子/飞行员GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
计算非电信应用的TIE峰值因子GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 应用笔记GydF4y2Ba
工厂自动化GydF4y2Ba 申请简报GydF4y2Ba
工业机器人GydF4y2Ba 申请简报GydF4y2Ba