1到110 MHz,高温(-40到+125°C) SOT23振荡器GydF4y2Ba

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SIT2018B振荡器采用SOT23封装,用于最佳板级焊点可靠性和低成本,光学GydF4y2Ba董事会级别GydF4y2Ba检查。该设备具有宽频范围,GydF4y2Ba优异的稳定性GydF4y2Ba,以及最短的交货时间GydF4y2Ba工业,医疗,汽车,航空电子和其他高温应用GydF4y2Ba。GydF4y2Ba该器件还具有业界最佳的0.1 PPB / G振动灵敏度,50,000克冲击和70克抗振性。GydF4y2BaOARD级检查。该设备具有最宽的频率范围,功耗最低,最佳稳定性和消费者,网络,工业等应用的最短交换时间。GydF4y2Ba

对于SMD包中的相同设备,请参阅GydF4y2BaSIT8918B.GydF4y2Ba振荡器。GydF4y2Ba

程序振荡器以获得即时样本,优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba

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带领SOT23包装为最佳板级可靠性,检测和可制造性GydF4y2Ba
振荡器类型GydF4y2Ba XO-SE.GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba 1到110 MHzGydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba ±20,±25,±50GydF4y2Ba
阶段抖动(RMS)GydF4y2Ba 1.3 psGydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba LVCMOSGydF4y2Ba
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba -40到+105,-40到+125GydF4y2Ba
FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba 是的GydF4y2Ba
电压电源(V)GydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3GydF4y2Ba
²包类型(毫米)GydF4y2Ba SOT23 (2.9 x2.8)GydF4y2Ba
特性GydF4y2Ba 现场可编程,高温125°C, SOT23-5GydF4y2Ba
可用性GydF4y2Ba 生产GydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。(-40至+125°C)GydF4y2Ba

  • 更好的时序边缘,适合户外和高温。操作环境GydF4y2Ba

可配置功能集GydF4y2Ba

  • 1 - 110 MHz之间的任何频率,具有6个小数的精度GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压GydF4y2Ba
  • 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
  • 在许多设计中使用相同的基础装置,减少质量要求GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低g-sensitivityGydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试合规性(STB等);GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性;GydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI以减少对其他子系统的干扰;GydF4y2Ba

SOT23-5套餐GydF4y2Ba

  • 最佳的板级焊点可靠性GydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光学,电路板级检查焊点;GydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减少短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和传输ECUGydF4y2Ba
  • Xtal替代品GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • 精密GNSSGydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块GydF4y2Ba
  • 电力与能量GydF4y2Ba
  • 铁路GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
5L-SOT23包组合报告GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境冲突矿物质政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
5L-SOT23包资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
恒温振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - CAREMGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
5L-SOT23套装均质材料和SGS报告 - UTACGydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SOT23包UTAC可靠性报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba

评估板GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba的)GydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

可靠性的计算器GydF4y2Ba- 获取适合/ MTBF数据,适用于各种操作条件GydF4y2Ba

sot 23 5-pinsGydF4y2Ba三维步模型GydF4y2Ba- 预览3D中的振荡器包GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT2018 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8.192MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.8304MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 11.0592 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12.28MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.7456MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 14.31818MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 16.384MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 18.432MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 24.56 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24.576MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 26MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 29.4912MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 33MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 50 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 54MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 62.5MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 65 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 72 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 74.176MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 75MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018 77.76MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT2018 100 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(LVCMOS,3.0 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT2018 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT2018(2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
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MEMS振荡器在电机控制应用中提高了可靠性和系统性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
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与MEMS联系:机电接口GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
Field Programmable振荡器DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
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MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网GydF4y2Ba 演讲GydF4y2Ba
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