加固的振荡器

SiTime为航空航天、国防和工业自动化应用提供了广泛的加固Endura™振荡器组合,这些应用要求在各种恶劣环境条件下具有超高的弹性。这些设备具有最低的加速度灵敏度、最佳的抗冲击和振动性能、高可靠性(> 19亿小时MTBF),以及在气流、热梯度、压力和电源噪声下的卓越动态性能。

SiTime的坚固的设备可以在大量的参数范围内对频率、稳定性和电压的任何组合进行工厂编程,消除了与石英产品相关的长交货时间和定制成本。所有Endura MHz振荡器符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883规范。标准或自定义向上筛选流程是可用的。

坚固的超级tcxo 10针陶瓷封装,顶部底部

加固的Super-TCXOs

Endura坚固的超级tcxo是紧密的稳定性(±0.05 ppm到±2.5 ppm), 1到220 MHz精密振荡器,设计提供最稳定的时间环境压力源-气流,快速温度变化,冲击,振动,差电源,和EMI。

  • 最佳加速灵敏度,0.004 ppb/g(典型值)-比石英高50%
  • 机械冲击30000克,抗振动70g
  • 抗气流和热震,0.9 ppb/°C (ΔF/ΔT)
  • 优秀的阿伦偏差(ADEV), 1.5e-11,场均10分
  • 低电源噪声抑制(PSNR), 0.2 ps/mV
  • I2C数字频率调谐消除了外部DAC和对板噪声的敏感性
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT5146 1 ~ 60 MHz ±0.5±1±2.5 LVCMOS剪Sinewave 2.52.83.3.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105-55 + 105 5.0 x 3.2 10针
SiT5147 60至220兆赫 ±0.5±1±2.5 LVCMOS 2.52.83.3.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 5.0 x 3.2 10针
SiT5346 1 ~ 60 MHz ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS剪Sinewave 2.52.83.3.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 5.0 x 3.2 10针
SiT5348 1 ~ 60 MHz ±0.05 LVCMOS剪Sinewave 2.52.83.3.3 0到+ 70 5.0 x 3.2 10针
SiT5349 60至220兆赫 ±0.05 LVCMOS 2.52.83.3.3 0到+ 70 5.0 x 3.2 10针
SiT5347 60至220兆赫 ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS 2.52.83.03.3 -20 + 70-40 + 85-40 + 105 5.0 x 3.2 10针
LVCMOS坚固振荡器4引脚封装顶部底部

LVCMOS加固的振荡器

SiTime提供坚固的单端Endura振荡器,用于国防和航空航天应用,具有广泛的功能。这些设备提供了宽频率范围(1至137 MHz),卓越的稳定性(±20 ppm)和宽温度范围(-55至125°C)的完美组合-在任何组合。

  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 宽工作温度,-55到+125°C
  • 行业标准QFN包装,小至2.0 mm x 1.6 mm
  • SOT23-5带铅封装,更高的板级可靠性和可制造性
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间,以减少EMI
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT2045 115至137兆赫 ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至105(二级)-40至125(一级)-55至125(1级外冷) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT2044 1 ~ 110 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40至105(二级)-40至125(一级)-55至125(1级外冷) SOT23 (2.9 x2.8)
SiT8945 115至137兆赫 ±2025±±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125-55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT8944 1 ~ 110 MHz ±2025±±30±50 LVCMOS 1.82.5到3.3 -40 + 105-40 + 125-55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
LVPECL / LVDS / HCSL加固振荡器6引脚封装顶部底部

LVPECL / LVDS / HCSL坚固振荡器

SiTime为高可靠性航空航天和国防应用提供Endura高性能差分振荡器。这些坚固的设备提供低抖动和电源噪声抑制(PSNR)存在的环境危害,如冲击,振动,噪声电源,和EMI。

  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 在小型工业标准封装中低0.21 ps RMS抖动(典型值)
  • ±10ppm,在恶劣环境条件下具有更好的动态稳定性
  • 精确的频率控制,数字调谐至±5个ppt
  • 从1兆赫到725兆赫的任何频率,精度为6位小数
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT9346 1 ~ 220 MHz ±10±2025±±50 LVCMOSLVPECLHCSL 2.52.83.3.3 -40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT9347 220到725兆赫 ±10±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.3.3 -40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
数字控制坚固振荡器6针封装顶部底部

数字控制坚固振荡器

SiTime的Endura dcos允许用户使用数字接口(I2C或SPI)编程输出频率和拉频,为设计人员提供了无噪音时钟同步的巨大灵活性。这种坚固的家庭提供超低的加速度灵敏度和低抖动。

  • 适用于替换支持多个频率的系统中的多个定时元件必威体育官网手机登录
  • 任意频率模式编程输出频率通过I2C或SPI从1 MHz到725 MHz
  • 频率拉/调谐高达±3200 ppm通过I2C或SPI 0.005 ppb分辨率和<1%的线性度
  • 低0.21 ps RMS(典型)集成相位抖动
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT3541 1 ~ 340 MHz ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -40 + 85 5.0 x 3.2 10针
SiT3542 340至725兆赫 ±2025±±50 LVPECLLVDSHCSL 2.5到3.3 -40 + 85 5.0 x 3.2 10针
电压控制坚固振荡器6针封装顶部底部

坚固耐用压控振荡器

SiTime MEMS vcxo为国防和航空航天应用提供卓越的动态性能和高可靠性。这些坚固的设备的设计,以保持在严酷的环境条件下的相位噪声性能和频率调谐精度。

  • 在1hz步长中从1mhz到725mhz的任何频率
  • 宽拉伸范围,±25至±3200ppm,线性度<1%
  • 低抖动,0.21 ps RMS (12k到20MHz)
  • 低电源噪声抑制(PSNR), 0.05 ps/mV
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT3343 220到725兆赫 25±±30±50 LVPECLLVDSHCSL 2.52.83.03.3 -40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
SiT3342 1 ~ 220 MHz ±1525±±35±50 LVPECLLVDSHSCL 2.52.83.03.3 -40 + 105 3.2 x2.55.0 x3.27.0 x5.0
扩频坚固振荡器4针封装顶部底部

扩频坚固振荡器

SiTime的Endura EMI-reduction振荡器通过两种技术来确保排放合规:扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整。这些坚固耐用的设备,专为恶劣的环境设计,具有超低的加速度灵敏度和高温操作。

  • 在基频上EMI降低到17分贝,在谐波上降低到30分贝
  • 广泛的分布范围,可达4% pk
  • FlexEdge™可配置的上升/下降时间选项:0.25 ns到40 ns的反转速率
  • 加速度灵敏度低,0.1 ppb/g
  • 宽工作温度,-55到+125°C
  • 小型工业标准QFN包装,小至2.0 mm x 1.6 mm
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT9045 1 ~ 150 MHz ±2025±±50 LVCMOS 1.82.25到3.3 -55 + 125 2.0 x1.62.5 x2.03.2 x2.5
32 kHz & 1 Hz至2.5 MHz坚固振荡器/TCXO 1580 CSP 4引脚封装顶部底部

32 kHz & 1 Hz至2.5 MHz坚固振荡器/ tcxo

SiTime的坚固的低频设备非常小,提供新的架构选项的低功耗解决方案适用于空间、电源和可靠性非常重要的应用。这些设备使用使用最新一代EpiSeabetway开户官网l™技术制造的MEMS谐振器,该技术密封谐振器,使其不受外部大气元素的影响。

  • 新EpiSeal谐振器所有小分子气体都不能渗透
  • 占地面积小:1.2 mm2 (1.5 x 0.8 mm) CSP
  • 超低功耗:低至4.5 μA
  • 低抖动:低至2.2 ns集成均方根相位抖动
  • SiT1580±5-ppmTCXO:全包频率稳定性,以改善当地时间保持和系统功率
  • SiT1581±50-ppm振荡器:广泛的频率稳定度频率范围广
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT1580 32.768千赫 ±5 LVCMOS 1.62到3.63 -20 + 70-40 + 85 1.5 x0.8
SiT1581 1 Hz至2.5 MHz ±50 LVCMOS 1.62到3.63 -20 + 70-40 + 85 1.5 x0.8