32.768 kHz振荡器

SiTime提供完整的MEMS kHz振荡器和tcxo组合。超小的占地面积、µPower操作和准确性的独特组合,使该设备非常适合时钟空间敏感、电池驱动的产品。通过可编程驱动强度,这些设备可以驱动多个负载,如BLE睡眠时钟、RTC、音频和其他连接soc。

32 kHz振荡器1580 4针包顶部底部

32 kHz振荡器

SiTime的MEMS 32khz解决方案是替代传统石英晶体(谐振器)的理想选择,在可穿戴和移动应用中,空间和功率至关重要。

  • 更小的占地面积:1.2 mm2 (1.5 x 0.8 mm) CSP (SiT1532, SiT1572)
  • 超低功耗,低至<1 μA
  • 与LVCMOS输出相比,NanoDrive™可编程输出摆动最大限度地减少功率(SiT1532/3)
  • 1.2 V操作优化,适用于稳压电源应用,如硬币电池或超级电容电池备份(SiT1532/3)
  • 全包频率稳定性,低至±50ppm在温度。(SiT1572)
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT1532 32.768千赫 75One hundred.250 LVCMOSNanoDrive™ 1.2到3.63 -10 + 70-40 + 85 1.5 x0.8
SiT1533 32.768千赫 75One hundred.250 LVCMOSNanoDrive™ 1.2到3.63 -10 + 70-40 + 85 2.0 x1.2
SiT1572 32.768千赫 ±50 LVCMOS 1.62到3.63 -40 + 85 1.5 x0.8
SiT1630 32.768、16.384千赫 75One hundred.150 LVCMOS 1.5到3.63 -10 + 70-40 + 85-40 + 105 2.0 x1.2SOT23-5
SiT1573 32.768千赫 ±100 LVCMOS 1.62到3.63 -40 + 85 1.5 x0.8
32 kHz TCXO 1580 4-pin封装顶部底部

32 kHz TCXOs

SiTime的32khz TCXO系列是第一个在1.2 mm2芯片级封装中提供±3ppm稳定性的产品。典型的铁芯供电电流低至1 μA。这些32 kHz tcxo是工厂校准的多个温度点,以确保非常紧,全包括频率稳定性。

  • 电源电流低至0.99 μA (SiT1552)
  • 稳定性选项包括±3 ppm (SiT1566在4.5 μA)和±10 ppm (SiT1552在0.99 μA)
  • 与LVCMOS输出相比,NanoDrive™可编程输出摆动最小化功率(SiT1552)
设备 数据表 频率 稳定(PPM) 输出类型 电源电压(V) 温度范围。(°C) 包大小(毫米2
SiT1552 32.768千赫 ±5±10±20 LVCMOSNanoDrive™ 1.5到3.63 0到+ 70-40 + 85 1.5 x0.8
SiT1566 32.768千赫 ±3±5 LVCMOS 1.62到3.63 -20 + 70-40 + 85 1.5 x0.8
SiT1568 32.768千赫 ±5 LVCMOS 1.8 -20 + 70-40 + 85 1.5 x0.8