sit2020bm - s1 - 18 - e - 72.000000gydF4y2Ba

sit2020bm - s1 - 18 - e - 72.000000gydF4y2Ba

规格gydF4y2Ba 价值gydF4y2Ba
设备类型gydF4y2Ba 汽车&高临时振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
72兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
±20gydF4y2Ba
操作温度范围(°C)。gydF4y2Ba
-55年到125年gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
1.8gydF4y2Ba
包大小(毫米x毫米)gydF4y2Ba
SOT23-5 (2.9 x2.8)gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
OEgydF4y2Ba

有关详细信息,请参阅数据表gydF4y2Ba

现在购买gydF4y2Ba

单位价格gydF4y2Ba
单位数gydF4y2Ba 单位成本gydF4y2Ba
1 - 99gydF4y2Ba 19.72美元gydF4y2Ba
100 - 499gydF4y2Ba 15.776美元gydF4y2Ba
500 - 999gydF4y2Ba 11.832美元gydF4y2Ba
1000 - 4999gydF4y2Ba 7.888美元gydF4y2Ba
> 4999gydF4y2Ba 联系我们gydF4y2Ba
可供销售的减少胶带包装。一些订单数量小于50块可以装运在ESD拉链袋。请订购数量大于5000gydF4y2Ba接触SiTime销售gydF4y2Ba或使用下面的聊天。gydF4y2Ba
还购买gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • -55°C到125°C的工作温度范围gydF4y2Ba
  • 小SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 一流的户外应用在极端的温度范围内保持稳定;gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 没有性能下降在严酷的环境下;gydF4y2Ba

70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的;gydF4y2Ba

FlexEdge™上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI干扰减少到其他子系统;gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳董事会层面的焊点的可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,optical-only董事会层面检查焊点;gydF4y2Ba

超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 石油勘探钻井gydF4y2Ba
  • 功率放大器gydF4y2Ba
  • 工业汽车gydF4y2Ba
  • 压力米gydF4y2Ba
  • 雷达gydF4y2Ba
  • 航空电子设备gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5 l-sot23包成分报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015登记证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5 l-sot23包资格报告——先进gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23凸版印刷包装可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5 l-sot23包均匀,先进材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5 l-sot23包均匀材料和SGS报告,凸版印刷gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba——SiT6907 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba

频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba

说23日5针gydF4y2Ba三维步模型gydF4y2Ba在3 d -预览振荡器包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2020 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 24.576 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 2.25到3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2020 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS诗句石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器增强时钟性能在工业和Hi-Reliability应用程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动的精密计时程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密测量相位抖动和相位噪声时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS时机提高触屏设备的解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时医疗应用解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
Ultra-robust MEMS时机解决方案提高仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器改善电机控制应用程序的可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
联系MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SiT2020数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器的程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最好的设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025可靠性计算SiTime振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
电磁敏感性比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
冲击和振动的比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033频率测量振荡器的指导方针gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一™和EpiSeal™流程gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用一个振荡器的八大理由,而不是一个晶体谐振器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS的优势时间参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第1部分:如何安装振荡器的编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第2部分:如何项目现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
说23日5针gydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(8.5 x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时机解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS (A4)中国时间的解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
时机工业解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅取代石英(日文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10073如何建立一个实时示波器测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071计算领带波峰因素电信应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带波峰因素Non-telecom应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072确定相位噪声的主要来源,通过检查gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074把示波器噪声从均方根抖动测量gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 - ygydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 tgydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 dgydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 - egydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 xgydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 ngydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 fgydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000 ggydF4y2Ba
  • sit2020bm - s1 - 18 e - 72.000000gydF4y2Ba