sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000gydF4y2Ba

联系销售gydF4y2Ba
数据表gydF4y2Ba
五个行业标准的足迹小2016对所有频率,电压,和稳定性gydF4y2Ba

sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车&高临时振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
50兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
25±gydF4y2Ba
操作温度范围(°C)。gydF4y2Ba
-40年到125年gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
1.8gydF4y2Ba
包大小(毫米x毫米)gydF4y2Ba
2.5 x2.0gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
OEgydF4y2Ba

有关详细信息,请参阅数据表gydF4y2Ba

现在购买gydF4y2Ba

单位价格gydF4y2Ba
单位数gydF4y2Ba 单位成本gydF4y2Ba
1 - 99gydF4y2Ba 5.171美元gydF4y2Ba
100 - 499gydF4y2Ba 4.137美元gydF4y2Ba
500 - 999gydF4y2Ba 3.103美元gydF4y2Ba
1000 - 4999gydF4y2Ba 2.068美元gydF4y2Ba
> 4999gydF4y2Ba 联系我们gydF4y2Ba
库存:5000件gydF4y2Ba
可供销售的磁带和卷轴包装。请订购数量大于5000gydF4y2Ba接触SiTime销售gydF4y2Ba或使用下面的聊天。gydF4y2Ba
还购买gydF4y2Ba
  • 图片:SiT8924 4-pin包,顶部和底部gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    图片:SiT8924 4-pin包,顶部和底部gydF4y2Ba

  • SiT8924销作业gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    SiT8924销作业gydF4y2Ba

  • SiT8924框图gydF4y2Ba
    扩大gydF4y2Ba

    SiT8924框图gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppm频率稳定度gydF4y2Ba
  • 超过-55 + 125°C汽车和军事temp.范围gydF4y2Ba
  • 在2.0 x 1.6毫米包中gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 最好在高振动条件下的鲁棒性gydF4y2Ba

70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 最好的系统可靠性在严酷的环境下gydF4y2Ba

可配置的驱动力量和上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI干扰减少到其他子系统gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%的替代石英XOgydF4y2Ba

超快的交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 相机gydF4y2Ba
  • 激光雷达与雷达gydF4y2Ba
  • 汽车以太网gydF4y2Ba
  • 动力系统gydF4y2Ba
  • 黑盒gydF4y2Ba
  • 汽车晶体替代gydF4y2Ba
  • 无线充电器gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4 l-qfn包成分报告(SiT14xx、SiT160x SiT5008, SiT8008, SiT8009, SiT1618, SiT89xx)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突矿产政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格,ASE报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——先进gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba——预览包QFN 3 d模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8924 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8924 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8924 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS诗句石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量时钟抖动的精密计时程序gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何在精密测量相位抖动和相位噪声时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
增加汽车可靠性和性能与超强劲的MEMS振荡器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
现场可编程定时医疗应用解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
联系MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SiT8924数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器的程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最好的设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025可靠性计算SiTime振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
电磁敏感性比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
冲击和振动的比较MEMS和Quartz-based振荡器gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033频率测量振荡器的指导方针gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一™和EpiSeal™流程gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车ADAS的振荡器,相机模块和车载以太网gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
MEMS的优势时间参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第1部分:如何安装振荡器的编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime第二时间机器——第2部分:如何项目现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
时机汽车系统的解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 混杂。资源gydF4y2Ba
AN10073如何建立一个实时示波器测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10071计算领带波峰因素电信应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带波峰因素Non-telecom应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072确定相位噪声的主要来源,通过检查gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074把示波器噪声从均方根抖动测量gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
頑丈なMEMS発振器で自動車の信頼性と性能を高めるgydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
汽车激光雷达gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
司机监控系统gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
汽车ECUgydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
汽车智能镜子gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
串行总线在汽车gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
PCI Express时机解决方案在汽车gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
自主地面车辆gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
NVIDIA驱动欧林参考设计gydF4y2Ba 应用程序简介gydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 - ygydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 tgydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 dgydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 - egydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 xgydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 ngydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 fgydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000 ggydF4y2Ba
  • sit8924ba - 12 - 18 e - 50.000000gydF4y2Ba

订阅SiTime新闻、培训和提供gydF4y2Ba

我们按照我们处理您的个人信息gydF4y2Ba隐私政策gydF4y2Ba。你可以管理你的偏好的沟通gydF4y2Ba偏好中心gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
gottseidankgydF4y2Ba