1到110 MHz,宽温度AEC-Q100 SOT23振荡器gydF4y2Ba

SIT2024B是最可靠,最优质的AEC-Q100标准的SOT23振荡器,适用于汽车和极端温度应用。该装置提供宽频频率范围(1 MHz至110 MHz),优异稳定性(±20ppm)和极端温度范围(-55至125°C)的完美组合。它还具有业界最佳的0.1 ppb / g振动灵敏度,10,000克冲击和70克抗振性。gydF4y2Ba

小型SOT23-5封装提供了最好的板级焊点可靠性和简单,低成本的光,板级焊点检查。gydF4y2Ba

程序振荡器获得即时样本,优化性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba115至137兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2BaQFN封装gydF4y2Ba|gydF4y2Ba坚固耐用gydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温产品线gydF4y2Ba

带领SOT23包装,以便最佳板级可靠性,检查和可制造性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 1 ~ 110 MHzgydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba ±20±25±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -40 - 85(3级),-40 - 105(2级),-40 - 125(1级),-55 - 125(外冷1级)gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
供电电压(V)gydF4y2Ba 1.8, 2.5到3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba SOT23(2.9x2.8)gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,高温125°C, AEC-Q100, SOT23-5gydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • -55至125°C温度范围gydF4y2Ba
  • SOT23-5包:gydF4y2Ba
    • 在极端温度范围内具有一流的稳定性,是汽车和高可靠性应用的理想选择gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境中没有性能下降gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 不可毁灭的gydF4y2Ba

可配置的上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

SOT23-5包gydF4y2Ba

  • 最佳板级焊点可靠性gydF4y2Ba
  • 简单,低成本,光学,板级焊点检查gydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba
  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • 晶体替代gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 发动机和动力系统gydF4y2Ba
  • 国防与航空航天gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
5L-SOT23包装组成报告gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子产业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
5L-SOT23包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SOT23软件包UTAC可靠性报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均匀材料和SGS报告- CarsemgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
5L-SOT23包装均匀材料和SGS报告- UTACgydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

评估板gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6097 (2928 SOT23-5)gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

sot 23 5-pinsgydF4y2Ba3D步骤模型gydF4y2Ba-预览振荡器软件包在3DgydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT2024 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 8.192 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 11.0592 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 13.225625 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 14.7456 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 14.31818 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 16兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 18.432 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 22.1184 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 24.56 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 24.576 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 24 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 29.4912 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 30 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 33 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 36MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT2024 50MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 60 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 62.5 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 72 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 74.25 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 74.176 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 75 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 100 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 3.0 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SIT2024(LVCMOS,3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT2024 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新现场程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
用超强稳健的MEMS振荡器提高汽车可靠性和性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
医疗应用领域可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators DatasheetgydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SIT2024B Datasheet.gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器驱动单个或多个负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理2betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量长期抖动和周期到周期抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
ITU-T标准中的IEEE 1588 Precision Time Protocol (PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
sot 23 5-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
汽车系统时序解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS时序解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案(A4)gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS Timing Solutions (A4)中文gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
硅替换石英(日本字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算非电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检测确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba