1 to 110 MHz,高温振荡器(-40 to +125°C)gydF4y2Ba

SiT8918B提供了一个完美的组合,宽频率范围(1 MHz到110 MHz),卓越的稳定性(±20ppm)和宽温度范围(-40到125°C)在最小的2.0 × 1.6 mmxmm封装,这是不容易从石英。该设备还具有业界最佳的抗冲击、抗振动性能。gydF4y2Ba

SIT8918涉及行业标准包和足迹,因此取代了石英,无需任何设计变化。gydF4y2Ba

程序振荡器获得即时样本,优化性能,和快速原型|gydF4y2Ba了解更多gydF4y2Ba

查看相关产品:gydF4y2Ba115至137兆赫gydF4y2Ba|gydF4y2BaSOT23-5套餐gydF4y2Ba|gydF4y2Ba-55至+ 125°CgydF4y2Ba|gydF4y2Ba汽车和高温产品线gydF4y2Ba

五个行业标准脚印,适用于2016年,适用于所有频率,电压和稳定性gydF4y2Ba
振荡器类型gydF4y2Ba XO-SEgydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba 1到110 MHzgydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)gydF4y2Ba ±20,±25,±50gydF4y2Ba
相位抖动(rms)gydF4y2Ba 1.3 psgydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba LVCMOSgydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba -40至+105,-40至+125gydF4y2Ba
FlexEdgegydF4y2BaTMgydF4y2Ba上升/下降时间gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba
电压电源(V)gydF4y2Ba 1.8,2.5至3.3gydF4y2Ba
²包类型(毫米)gydF4y2Ba 2.0 × 1.6, 2.5 × 2.0, 3.2 × 2.5, 5.0 × 3.2, 7.0 × 5.0gydF4y2Ba
特性gydF4y2Ba 现场可编程,高温125°CgydF4y2Ba
可用性gydF4y2Ba 生产gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20 ppmgydF4y2Ba
  • 汽车温度(-40至125°C)gydF4y2Ba
  • 最小软件包(2.0 x 1.6 mmxmm):gydF4y2Ba
    • 更好的时间裕度理想的空间限制,户外和高温。操作环境gydF4y2Ba

0.1 ppb /gydF4y2BaggydF4y2Ba低振动灵敏度gydF4y2Ba

  • 改进了系统在振动下的性能gydF4y2Ba
  • 更简单的载体丢弃测试合规性(STB等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动强度gydF4y2Ba

  • 较慢的上升/下降时间,使来自振荡器的电磁干扰最小化gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载来降低成本并消除额外的定时组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 减少库存开销gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ecugydF4y2Ba
  • XTAL替代品gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • 精密GNSSgydF4y2Ba
  • GPS / GNSS模块gydF4y2Ba
  • 电力与能量gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子产业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2BaSIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba获取不同操作条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225 4针gydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050 4针gydF4y2Ba- 使用QFN 3D步骤模型预览包gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8918 19.6608 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 24MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 8.192MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 8MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 9.8304 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 11.0592MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 12MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 13.52127 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 13.225625MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 14.7456MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 14.31818MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 15 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 16.384 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 16MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 18.432MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 20MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 22.1184MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 24.56MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 26 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 27MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 29.4912MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 30MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 32MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 33MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 36MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 40MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 48 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 50 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 54 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 60MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 62.5MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 65 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 66 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 72MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 74.25MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 74.176MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 74.175824 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 75MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8918 77.76 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918 100MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,1.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,3.0 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SiT8918 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
SIT8918(LVCMOS,2.25至3.63 V)gydF4y2Ba Ibis模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
用高温、超鲁棒的MEMS振荡器提高工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改善触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超鲁棒的MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS振荡器在电机控制应用中提高可靠性和系统性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators DatasheetgydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8918数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议,驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
工业时序解决方案gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声gydF4y2Ba 申请笔记gydF4y2Ba