1 to 110 MHz,宽温度振荡器(-55 to +125°C)

SIT8920B是市场上最坚固且可靠的振荡器,振动灵敏度0.1 ppb / g灵敏度(g灵敏度),50,000克冲击和70克振动电阻和500万小时的MTBF。此外,该器件提供了高频(最多110 MHz),最佳稳定性(±20ppm),军用温度范围(-55°C至125°C)和小包装(2.0 x 1.6 mmxmm)的完美组合从石英中没有。

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所有频率、电压和稳定性的五个行业标准足迹小至2016年
振荡器类型 XO-SE.
频率 1到110 MHz
频率稳定性(PPM) ±20,±25,±50
阶段抖动(RMS) 1.3 ps
输出类型 LVCMOS
工作温度范围(°C) -55 + 125
FlexEdgeTM上升/下降时间 是的
电压电源(V) 1.8,2.5至3.3
²包类型(毫米) 2.0x1.6,2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0
特性 现场可编程,军用温度-55至125°C
可用性 生产

可配置功能集

  • 任何频率在1到110 MHz之间,具有6个小数精度
  • 稳定性低至±20 ppm
  • 工业或扩展商业温度。
  • 1.8 V或2.5 V ~ 3.3 V供电电压
  • 自定义最佳系统性能规范
  • 使用相同的基础设备进行许多设计,降低资格需求

低功耗

  • 0.6μA典型的备用电流(1.8 V)
  • 3.5 mA典型有功电流(1.8 V)
  • 扩展便携式应用中的电池寿命
  • 降低绿色系统的功耗

FlexEdge™可配置驱动强度

  • 从振荡器最小化EMI的速度升高/下降时间
  • 通过驱动多个负载来节省成本并消除额外的定时组件

超快速的交换时间(4至6周)

  • 减少库存开销
  • 缓解短缺风险

  • 石油勘探钻探
  • 功率放大器
  • 工业汽车
  • 压力米
  • 航空航天设备
  • 地热能源设备

狭窄:

文档名称 类型
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4L-QFN包装合格报告- UTAC 可靠性报告
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4L-QFN包装合格报告- Carsem 可靠性报告
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告 可靠性报告
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塔爵士晶圆SGS报告 RoHS / REACH / Green证书
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告 RoHS / REACH / Green证书
博世晶圆SGS报告 RoHS / REACH / Green证书
WLCSP封装均质材料和SGS报告 RoHS / REACH / Green证书
环境合规声明 RoHS / REACH / Green证书
合规证书 - 欧盟RoHS宣言 RoHS / REACH / Green证书

eval委员会联系Silime.- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)

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2016年4针|2520年4-Pins|3225年4-Pins|5032 4针|7050 4针- 使用QFN 3D步骤模型预览包

狭窄:

资源名称 类型
SiT8920 65 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 32MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 33MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 36MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 40 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 48MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 50MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 54MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 60MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 62.5 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 66 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 72MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 74.25MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 74.176MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 74.175824MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 75MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 77.76MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 100MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 7.3728 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 8.192MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 8MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 9.8304MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 9.84375MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 11.0592MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 12.288MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 12 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 13.52127MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 13.225625 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 13兆赫LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920 14.7456MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 14.31818MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 15MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 16.384MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 16MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 18.432MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 19.6608MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 20MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 22.1184MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 24.56MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SIT8920 24.576MHz LVCMOS. 弗里克。测试报告
SiT8920 24 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 25兆赫LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 26 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 27 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 29.4912 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SiT8920 30 mhz LVCMOS 弗里克。测试报告
SIT8920(LVCMOS,1.8 V) Ibis模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) Ibis模型
SIT8920(LVCMOS,1.8 V) Ibis模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.5 V) Ibis模型
SiT8920 (LVCMOS, 2.8 V) Ibis模型
SiT8920 (LVCMOS, 3.0 V) Ibis模型
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SIT8920(LVCMOS,2.25至3.63 V) Ibis模型
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