标准频率，高温振荡器GydF4y2Ba
SiT1618B有33个标准频率可供选择，频率范围从7.3728 MHz到48 MHz，有两个温度范围，包括工业和汽车。该振荡器具有±20ppm的稳定性，小2.0 × 1.6 mm封装(4个其他封装可用)，3.6 mA低功耗，和最佳的冲击和振动。GydF4y2Ba
SiT1618与石英晶体振荡器兼容，使其成为石英器件的理想替代品，无需改变设计。GydF4y2Ba
SOT23-5封装中的类似设备请参见《GydF4y2BaSIT2018B.GydF4y2Ba振荡器。GydF4y2Ba
程序振荡器以获得即时样本，优化的性能和快速原型|GydF4y2Ba了解更多GydF4y2Ba
查看相关产品:GydF4y2Ba1 ~ 110 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2Ba115到137 MHzGydF4y2Ba|GydF4y2Ba汽车和高温产品线GydF4y2Ba
| 振荡器类型GydF4y2Ba | XO-SE.GydF4y2Ba |
| 频率GydF4y2Ba | 33标准频率GydF4y2Ba |
| 频率稳定性（PPM）GydF4y2Ba | ±20±25±50GydF4y2Ba |
| 阶段抖动（RMS）GydF4y2Ba | 1.3 psGydF4y2Ba |
| 输出类型GydF4y2Ba | LVCMOSGydF4y2Ba |
| 工作温度范围（°C）GydF4y2Ba | -40到+105，-40到+125GydF4y2Ba |
| FlexEdgeGydF4y2BaTMGydF4y2Ba上升/下降时间GydF4y2Ba | 是的GydF4y2Ba |
| 供电电压(V)GydF4y2Ba | 1.8, 2.5到3.3GydF4y2Ba |
| ²包类型(毫米)GydF4y2Ba | 2.0x1.6,2.5x2.0，3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0GydF4y2Ba |
| 特性GydF4y2Ba | 现场可编程，高温125°CGydF4y2Ba |
| 可用性GydF4y2Ba | 生产GydF4y2Ba |
所有频率、电压和稳定性的五个行业标准足迹小至2016年GydF4y2Ba
SiT1618引脚分配与可编程引脚1，可以设置输出启用，待机，或无连接，以优化功耗GydF4y2Ba
可配置的FlexEdge驱动强度通过减缓上升/下降时间来降低EMI -例如，通过增加上升/下降边缘从周期的5%到45%，第11个时钟谐波减少了35 dBGydF4y2Ba
±20ppm超过汽车温度(-40至125°C)GydF4y2Ba
- 更好的时间裕度，适合户外和高温工作环境GydF4y2Ba
可配置功能集GydF4y2Ba
- 33标准频率在7.3728 MHz和48 MHz之间GydF4y2Ba
- 1.8 V或2.5 V ~ 3.3 V电源电压:GydF4y2Ba
- 自定义最佳系统性能规范GydF4y2Ba
- 在许多设计中使用相同的基本装置，减少了资质要求GydF4y2Ba
0.1 ppb/g低g灵敏度GydF4y2Ba
- 改进了系统在振动下的性能GydF4y2Ba
- 运营商跌落测试符合性(机顶盒等)GydF4y2Ba
70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50000GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba
- 恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba
- 更少的产品故障GydF4y2Ba
FlexEdge™驱动力量GydF4y2Ba
- 较慢的上升/下降时间，使来自振荡器的电磁干扰最小化GydF4y2Ba
- 通过驱动多个负载和消除额外的定时组件，降低成本GydF4y2Ba
5个行业标准套餐GydF4y2Ba
- 100%替代石英晶体振荡器GydF4y2Ba
超快速的交换时间（4至6周）GydF4y2Ba
- 减少库存开销GydF4y2Ba
- 缓解短缺风险GydF4y2Ba
- 发动机和变速器ecuGydF4y2Ba
- 晶体替代GydF4y2Ba
- ADAS电脑GydF4y2Ba
- 汽车摄像头GydF4y2Ba
- 信息娱乐GydF4y2Ba
- SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 12.288 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 13.52127 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 19.6608 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 20 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 24 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 30 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SIT1618 32MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SIT1618 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba
- SiT1618 40 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
- SiT1618 48 mhz LVCMOSGydF4y2Ba
| 文档名称GydF4y2Ba | 类型GydF4y2Ba |
|---|---|
| 4L-QFN组件组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba | 成分报告GydF4y2Ba |
| 电子产业公民联盟模板GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| SiTime产品制造笔记GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| SiTime环境政策GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| 日期代码的境内保修GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| 冲突矿物报告模板GydF4y2Ba | 其他优质文件GydF4y2Ba |
| 距离振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装合格报告- UTACGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 4L-QFN包装合格报告- CarsemGydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba | 可靠性报告GydF4y2Ba |
| 台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| 4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| 博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| SiTime环境合规声明GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
| 合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba | RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba |
Eval董事会GydF4y2Ba（GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba）GydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)GydF4y2Ba
可靠性的计算器GydF4y2Ba-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba
时间机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率，电压，稳定性和更多GydF4y2Ba
频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba
2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050年4-PinsGydF4y2Ba- 使用QFN预览包GydF4y2Ba3 d步模型GydF4y2Ba
