sit1534ac - h5 - dcc - 01.024

设备类型 1 Hz至462.5 kHz振荡器
频率
1.024千赫
频率稳定性(ppm)
75
工作温度范围(°C)
-10到70
输出类型
LVCMOS
电源电压(V)
1.20到3.63
包装尺寸(毫米x毫米)
2.0 x1.2
包装高度(mm)
0.55
输出驱动强度*
默认的
功能销
N/A
拉力范围(PPM PR)
N/A
传播比例
N/A
摇摆不定的选择
N/A
直流耦合输出VOL或交流摆动
轨到轨LVCMOS
直流耦合输出VOH
轨到轨LVCMOS
RoHS
是的

*详见数据表

立即购买

磁带和卷盘选项
G = 250 ct

工厂可编程降至1hz

  • 与固定的32.768 kHz XTAL相比,显著降低了功率

最小芯片尺寸(CSP): 1.5 x 0.8 mm

  • 与2012 SMD相比,节省高达80%的板空间

小型SMD封装:2.0 x 1.2 mm (2012)

  • 引脚兼容2012 XTAL SMD

NanoPower: 900 nA(典型)

  • 延长电池寿命

工作电压为1.2 V

  • 必威体育官网手机登录支持投币电池或超级电容电池备份

NanoDrive™减少摆动振荡器输出

  • 直接接口到MCU/PMIC/芯片组XTAL IN
  • 可编程输出摆动最小化功率
  • 振荡器输出消除了负载电容

无负载或VDD滤波电容

  • 消除任何外部电容
  • 消除任何外部电容
  • 消除与负载相关的启动问题

在-40°C到+85°C的温度范围内,频率稳定性< 100ppm

  • 稳定性比石英高2倍
  • 提高无线连接和RTC精度

  • 无线鼠标
  • 无线键盘
  • 每秒脉冲(PPS)计时
  • RTC基准时钟
  • 电池管理计时

狭窄:

文档名称 类型
4L-QFN包组成报告(SiT1533, SiT1534, SiT1630) 成分报告
WLCSP包组成报告(SiT15XX, SiT8021) 成分报告
电子工业公民联盟模板 其他质量文件
SiTime产品制造说明 其他质量文件
SiTime冲突金属声明 其他质量文件
SiTime环保政策 其他质量文件
SiTime对日期代码的质保 其他质量文件
ISO9001:2015注册证书 其他质量文件
冲突矿物报告模板 其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品) 可靠性报告
SiT1532, SiT1534 CSP产品确认报告 可靠性报告
SiT153X、SiT1552、SiT163X产品确认报告 可靠性报告
4L-QFN包装确认报告- Carsem 可靠性报告
台积电晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
Tower Jazz Wafer SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
博世晶圆SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
包装均质材料和SGS报告 RoHS /实现/绿色证书
SiTime环境合规声明 RoHS /实现/绿色证书
符合欧盟RoHS声明证书 RoHS /实现/绿色证书

评估板接触SiTime- - - - - -SiT6098 (1508)| SiT6096 (2012)

可靠性的计算器- - - - - -获取各种工况下的FIT/MTBF数据

SMD 2012 4针|CSP 1508 4针-使用QFN三维阶跃模型

狭窄:

资源名称 类型
硅MEMS可靠性和弹性 演讲
性能比较:硅MEMS与石英振荡器 演讲
如何在精确计时应用中测量时钟抖动 演讲
如何在精确定时应用中测量相位抖动和相位噪声 演讲
SiT15xx 32 kHz NanoDrive™输出 演讲
硅MEMS vs石英供应链 演讲
时钟功能的电力意识和绿色应用 白皮书
MEMS振荡器:实现更小、更低功率的可穿戴设备 白皮书
硅MEMS振荡器为LED照明提供好处 白皮书
MEMS计时器延长移动设备待机寿命 白皮书
MEMS时序解决方案改进触摸屏设备 白皮书
MEMS计时技术:打破石英计时的限制,改进智能移动设备 白皮书
MEMS振荡器提高了电机控制应用的可靠性和系统性能 白皮书
基于mems的谐振器和振荡器正在取代石英 演讲
接触MEMS:机电接口 演讲
智能时钟技术延长可穿戴设备的电池寿命 演讲
SiT1534数据表 数据表
AN10002单端振荡器驱动单负载或多负载的终止建议 应用笔记
J-an10006発振器のpcbデザhereンのガhereドラhereン 应用笔记
AN10006最佳设计和布局规范 应用笔记
时钟抖动的定义和测量方法 应用笔记
J-an10007クロックジッタの定義と測定方法 应用笔记
SiTime発振器の信頼性計算方法 技术论文
SiTime振荡器可靠性计算 应用笔记
J-an10028プロブを使用した発振器の出力波形計測方法 应用笔记
探测振荡器输出 应用笔记
memsおよび水晶ベス発振器の電磁場感受率の比較 技术论文
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较 技术论文
mems発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動) 技术论文
MEMS与石英振子的冲击与振动比较 技术论文
J-an10033発振器の周波数測定ガiphone iphoneドラiphone iphone iphoneン 应用笔记
AN10033振荡器频率测量指南 应用笔记
J-AN10037低消費電力单片机の32 kHz発振動作モードに対するSiT15xx製品の最適なドライブ出力設定 应用笔记
AN10037为低功耗mcu的32 kHz输入优化了SiT15xx驱动器设置 应用笔记
J-AN10043 SiT15xxシリズ(32 kHz発振器)の測定ガ 应用笔记
AN10043 32 kHz SiT15xx振荡器的测量指南 应用笔记
シリコンmems発振器の耐性および信頼性 技术论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性 技术论文
J-AN10046 32 kHz纳米功率MEMS発振器による複数負荷駆動 应用笔记
AN10046用32 kHz纳米功率MEMS振荡器驱动多重负载 应用笔记
SiTimeのMEMS First™プロセス技術 技术论文
SiTime的MEMS First™和epseal™工艺 技术论文
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因 白皮书
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理第二部分betway开户官网 演讲
如何在精确定时应用中测量长周期抖动和周期抖动 演讲
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术 演讲
AN10052 ITU-T标准IEEE 1588精确时间协议(PTP) 应用笔记
Sc-an10007时钟抖动定义与测量方法 应用笔记
Sc-an10033振荡器频率测量指南 应用笔记
AN10062振荡器相位噪声测量指南 应用笔记
相位噪声测量教程 视频
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动遵从性 演讲
MEMS时序参数的优点 视频
SiTime MEMS振荡器-改革计时市场 视频
训练模块:用振荡器替换晶体 视频
SiTime如何为物联网、可穿戴和移动应用节省空间 视频
CSP 1508 4针 三维阶跃模型
SMD 2012 4针 三维阶跃模型
SiTime MEMS时序解决方案(8.5x11) 小册子和传单
SiTime MEMS时序解决方案(A4) 小册子和传单
SiTime MEMS时序解决方案(A4)中文 小册子和传单
移动和物联网定时解决方案 小册子和传单
SiT6098EBB评估板用户手册 用户手册
硅取代石英(日文字幕) 视频
硅取代石英(中文字幕) 视频
智能电表 应用程序简介
SiT1534 (LVCMOS, 1.5 V) 宜必思模型
SiT1534 (LVCMOS, 1.8 V) 宜必思模型
SiT1534 (LVCMOS, 3.3 V) 宜必思模型
SiTime MEMS First工艺 技术论文
如何设置实时示波器来测量抖动 应用笔记
AN10071电信应用的TIE波峰因子计算 应用笔记
AN10070计算非电信应用的TIE波峰因子 应用笔记
通过检测确定相位噪声的主要来源 应用笔记
AN10074去除有效值抖动测量中的示波器噪声 应用笔记