SIT1618BA-13-33E-40.000000gydF4y2Ba

SIT1618BA-13-33E-40.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
40 MHz.gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-40到125.gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
LVCMOSgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30.gydF4y2Ba
封装尺寸(mm x mm)gydF4y2Ba
2.5 x2.0gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动强度*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
特征PIN.gydF4y2Ba
输出使能gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播百分比gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwinggydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详细信息请参见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

磁带和卷轴选项gydF4y2Ba
d = 3,000 ctgydF4y2Ba
E = 1000gydF4y2Ba
G = 250 ctgydF4y2Ba

±20ppm超过汽车温度。(-40至125°C)gydF4y2Ba

  • 更好的时序边距,非常适合户外和高温操作环境gydF4y2Ba

可配置的特性集gydF4y2Ba

  • 33个在7.3728 MHz和48 MHz之间的标准频率gydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V供电电压:gydF4y2Ba
  • 为优化系统性能定制规格gydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备,以减少资格需求的许多设计gydF4y2Ba

0.1 ppb/g低g灵敏度gydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能gydF4y2Ba
  • 载波跌落测试符合性(机顶盒等)gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和50000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 在恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba
  • 更少的产品失败gydF4y2Ba

FlexEdge™驱动强度gydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI的速度升高/下降时间gydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载来降低成本并消除额外的定时组件gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替换石英晶体振荡器gydF4y2Ba

超快交货时间(4至6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险gydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ECUgydF4y2Ba
  • XTAL替代品gydF4y2Ba
  • ADAS计算机gydF4y2Ba
  • 汽车摄像头gydF4y2Ba
  • 信息娱乐gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN包组合报告(SIT160x,SIT800x,SIT1618,SIT89xx)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子工业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品的制造说明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
环境冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime日期代码担保gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装鉴定报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SIT16XX,SIT89XX高温产品资格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装同质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
符合证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

eval委员会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba- 程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba- QFN预览包gydF4y2Ba3D步骤模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT1618 7.3728 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 8 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 9.84375 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12.288 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 12 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 13.52127MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 13.2256256256MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 13兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 15MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 19.6608MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 20 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 22.1184MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 24MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 25兆赫LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 26MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 27 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 30MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 36 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 40 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SIT1618 48MHz LVCMOS.gydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 3.3 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器提高了工业和高可靠性应用中的时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量相位抖动和相位噪声在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新领域程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
用高温、超鲁棒MEMS振荡器提高工业设备的性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器为LED照明提供优势gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS定时解决方案改进触摸屏设备gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
用于医疗应用的现场可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
超鲁棒MEMS定时解决方案提高了仪表应用的性能和可靠性gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
基于MEMS的谐振器和振荡器现在更换了石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
接触MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SIT1618数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
Time Machine II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器的终止建议,驱动单个或多个负载gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006仪器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
距离浮气器函数计算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的电磁磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的冲击与振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的前8个理由gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器优势 - MEMS谐振器如何工作第2部分betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量长期抖动和周期抖动在精密定时应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
AN10052 IEEE 1588 ITU-T标准的精密时间协议(PTP)gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器相位噪声测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk Jitter CompliancegydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS时序参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——时间市场的革命gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何编程现场可编程振荡器gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
qfn 3225 4-pinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
SITIME MEMS定时解决方案(8.5x11)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
SiTime MEMS定时方案(A4)中文gydF4y2Ba 小册子/飞行员gydF4y2Ba
硅替换石英(日本字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
硅取代石英(中文字幕)gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何设置实时示波器以测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用的TIE峰值因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检验确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从有效值抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba