SIT1618BA-13-33S-16.000000GydF4y2Ba

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设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
16 MHz.GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
50.GydF4y2Ba
工作温度范围(°C)GydF4y2Ba
-40到125.GydF4y2Ba
输出类型GydF4y2Ba
lvcmos.GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.30GydF4y2Ba
封装尺寸(mm x mm)GydF4y2Ba
2.5 x2.0GydF4y2Ba
包装高度(mm)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
输出驱动力量*GydF4y2Ba
默认GydF4y2Ba
特征PIN.GydF4y2Ba
支持GydF4y2Ba
拉伸范围(PPM PR)GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
传播百分比GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
摇摆不定的选择GydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出Vol或AC SwingGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
直流耦合输出vohGydF4y2Ba
N / A.GydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
D = 3000 ctGydF4y2Ba
E = 1000GydF4y2Ba
g = 250 ctGydF4y2Ba

汽车温度±20 ppm。(-40至125°C)GydF4y2Ba

  • 更好的时序边距,非常适合户外和高温操作环境GydF4y2Ba

可配置的特性集GydF4y2Ba

  • 33标准频率在7.3728 MHz和48 MHz之间GydF4y2Ba
  • 1.8 V或2.5 V至3.3 V电源电压:GydF4y2Ba
  • 为优化系统性能定制规格GydF4y2Ba
  • 使用相同的基础设备,以减少资格需求的许多设计GydF4y2Ba

0.1 ppb / g低g灵敏度GydF4y2Ba

  • 改善了振动下的系统性能GydF4y2Ba
  • 载体滴测试合规性(STB等)GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和50,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境中最好的系统可靠性GydF4y2Ba
  • 更少的产品失败GydF4y2Ba

FlexEdge™驱动力量GydF4y2Ba

  • 从振荡器最小化EMI的速度升高/下降时间GydF4y2Ba
  • 通过驱动多个负载和消除额外的时间组件降低成本GydF4y2Ba

5个行业标准包GydF4y2Ba

  • 100%替换石英晶体振荡器的替换GydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba
  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 发动机和变速器ECUGydF4y2Ba
  • 晶体替代GydF4y2Ba
  • ADAS计算机GydF4y2Ba
  • 汽车摄像头GydF4y2Ba
  • 信息娱乐GydF4y2Ba

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文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN包装成分报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba 组成报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SINTIME产品的制造票据GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
ISO9001:2015注册证书GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN包装确认报告- ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品鉴定报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
TSMC晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
塔爵士晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
BOSCH Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
西泰环保合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

eval委员会GydF4y2Ba(GydF4y2Ba接触SiTimeGydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SIT6095(2016)|SIT6081(2520)|SIT6082(3225)|SIT6083(5032)|SIT6084(7050)GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba- 获取各种操作条件的适合/ MTBF数据GydF4y2Ba

时光机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性等GydF4y2Ba

频率斜率(DF / DT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032年4-PinsGydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050年4-PinsGydF4y2Ba- QFN预览包GydF4y2Ba3 d步模型GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT1618 7.3728MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 8MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 9.84375MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 12.288MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 12MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 13.52127MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 13.225625 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 13MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 15 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 19.6608MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 20MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 22.1184 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 24MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 25MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 26 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 27MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 30MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SiT1618 32 mhz LVCMOSGydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 36MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 40MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618 48MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT1618(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SiT1618 (LVCMOS, 3.3 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
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