SIT8925BA-12-33E-125.000000GydF4y2Ba

SIT8925BA-12-33E-125.000000GydF4y2Ba

设备类型GydF4y2Ba 汽车和高温振荡器GydF4y2Ba
频率GydF4y2Ba
125兆赫GydF4y2Ba
频率稳定性(PPM)GydF4y2Ba
25±GydF4y2Ba
操作温度。范围(°C)GydF4y2Ba
-40年到125年GydF4y2Ba
电源电压(V)GydF4y2Ba
3.3GydF4y2Ba
包装尺寸(毫米x毫米)GydF4y2Ba
2.5x2.0GydF4y2Ba
包装高度(mm)GydF4y2Ba
0.75GydF4y2Ba
功能销GydF4y2Ba
OEGydF4y2Ba
rohs.GydF4y2Ba
是的GydF4y2Ba

*有关详细信息,请参阅数据表GydF4y2Ba

立即购买GydF4y2Ba

磁带和卷轴选项GydF4y2Ba
3000ctGydF4y2Ba
e = 1,000GydF4y2Ba
G = 250 ctGydF4y2Ba

独特的组合GydF4y2Ba

  • ±20 ppm频率稳定性GydF4y2Ba
  • 超过-55至+125°C的汽车温度范围GydF4y2Ba
  • 在2.0 x 1.6 mm封装:GydF4y2Ba
    • 适用于汽车和/或空间有限的操作环境GydF4y2Ba

0.1 ppb /GydF4y2BaGGydF4y2Ba低的GydF4y2BaGGydF4y2Ba-灵敏度GydF4y2Ba

  • 高振动条件下的最佳稳健性GydF4y2Ba

70GydF4y2BaGGydF4y2Ba振动和10,000人GydF4y2BaGGydF4y2Ba震惊GydF4y2Ba

  • 恶劣环境下的最佳系统可靠性GydF4y2Ba

可配置驱动强度和上升/下降时间GydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他子系统的干扰GydF4y2Ba

5个行业标准套餐GydF4y2Ba

  • 100%替代石英XOGydF4y2Ba

超快速的交换时间(4至6周)GydF4y2Ba

  • 减少库存开销GydF4y2Ba

  • 减轻短缺风险GydF4y2Ba

  • 信息娱乐GydF4y2Ba
  • ADAS电脑GydF4y2Ba
  • 相机GydF4y2Ba
  • 雷达和丽尔GydF4y2Ba
  • 汽车以太网GydF4y2Ba
  • 动力系统GydF4y2Ba
  • 黑匣子GydF4y2Ba
  • 国防与航空航天GydF4y2Ba
  • 汽车晶体替代GydF4y2Ba
  • 无线充电器GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

文档名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
4L-QFN组件组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)GydF4y2Ba 成分报告GydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
环境政策环境政策GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
日期代码的境内保修GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
冲突矿物报告模板GydF4y2Ba 其他优质文件GydF4y2Ba
距离振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - UTACGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - ASEGydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
4L-QFN封装资格报告 - 汽车GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告GydF4y2Ba 可靠性报告GydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
4L / 6L-QFN封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
WLCSP封装均质材料和SGS报告GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
SiTime环境合规声明GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba
合规证书 - 欧盟RoHS宣言GydF4y2Ba RoHS / REACH / Green证书GydF4y2Ba

Eval董事会GydF4y2Ba(GydF4y2Ba联系Silime.GydF4y2Ba)GydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)GydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器GydF4y2Ba- 计算频率斜率超过温度GydF4y2Ba

时间机器II程序员GydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性和更多GydF4y2Ba

可靠性计算器GydF4y2Ba-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据GydF4y2Ba

2016年4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba2520 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba3225 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba5032 4针GydF4y2Ba|GydF4y2Ba7050 4针GydF4y2Ba-预览软件包与QFN 3D步骤模型GydF4y2Ba

狭窄:GydF4y2Ba

资源名称GydF4y2Ba 类型GydF4y2Ba
SIT8925 125MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8925 133MHz LVCMOS.GydF4y2Ba 弗里克。测试报告GydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,1.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,2.5 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,2.8 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
SIT8925(LVCMOS,2.25至3.63 V)GydF4y2Ba Ibis模型GydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的时钟抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的相位抖动和相位噪声GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何使用Sentime的新现场编程器获得即时振荡器GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Silicon Mems VS石英供应链GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
用超强稳健的MEMS振荡器提高汽车可靠性和性能GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
医疗应用领域可编程定时解决方案GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
与MEMS联系:机电接口GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators DatasheetGydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
SIT8925数据表GydF4y2Ba 数据表GydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器编程器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンドシングルエンド器材のの推奨方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器驱动单个或多个负载的终止建议GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10007时钟抖动定义和测量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタクロックジッタの定义と方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
AN10025恒化振荡器的可靠性计算GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
J-AN10028プローブプローブ使使使しししたのの波形波形计测方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振の电阻场感受率の比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
MEMS発振器材と水晶仪器のの比较(耐冲撃と移动)GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
基于MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
J-AN10033仪器の周波数量ガイドラインGydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10033振荡器频率测量指南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器材のおよび函数性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
SITIMEのMEMS FIRST™プロセス技术GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
stime的MEMS First™和Episeal™流程GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因GydF4y2Ba 白皮书GydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理2betway开户官网GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
如何测量精密定时应用中的长期抖动和周期到循环抖动GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
SC-AN10007时动词定义与送量方法GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
SC-AN10033振荡频率销量江南GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
相位噪声测量教程GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
PCI使用相位噪声分析仪表达REFCLK抖动符合性GydF4y2Ba 介绍GydF4y2Ba
MEMS时序的优点 - 参数GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SINIME MEMS振荡器 - 彻底改变定时市场GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
环境机器II - 第2部分:如何编程现场可编程振荡器GydF4y2Ba 视频GydF4y2Ba
QFN 2016 4-PINSGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 2520 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 5032 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
qfn 7050 4-pinsGydF4y2Ba 3D步骤模型GydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器GydF4y2Ba 产品简介GydF4y2Ba
汽车系统时序解决方案GydF4y2Ba 小册子和传单GydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺GydF4y2Ba 技术论文GydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10071计算领带电信应用因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10070计算领带的非电信应用领带因素GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10072通过检查确定相位噪声的主导来源GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba
AN10074从RMS抖动测量中移除示波器噪声GydF4y2Ba 申请笔记GydF4y2Ba