sit8925be - 73 - 33 - n - 125.000000gydF4y2Ba

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设备类型gydF4y2Ba 汽车&高临时振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
125兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba
操作温度范围(°C)。gydF4y2Ba
-40年到105年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
3.30gydF4y2Ba
包大小(毫米x毫米)gydF4y2Ba
2.0 x1.6gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
没有连接gydF4y2Ba
拉力范围(PPM PR)gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出卷或交流gydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
n /一个gydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

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  • 超过-55 + 125°C汽车temp.范围gydF4y2Ba
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十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

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70年gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

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可配置的驱动力量和上升/下降时间gydF4y2Ba

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文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4 l-qfn包成分报告(SiT160X、SiT800X SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子行业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
生产笔记SiTime产品gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属宣言gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime保修日期代码gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿产报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——凸版印刷gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格,ASE报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4 l-qfn包资格报告——先进gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX SiT89XX高临时产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
塔爵士晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4 l / 6 l-qfn包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶片SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环保合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Compliance-EU RoHS证书声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF / dT)计算器gydF4y2Ba——计算频率斜率温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba——项目的频率,电压,稳定&更多gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-保持健康/平均无故障时间数据的各种操作条件gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba——预览包QFN 3 d模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8925 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8925 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.25到3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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如何获得即时振荡器SiTime新领域的程序员吗gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS vs石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
增加汽车可靠性和性能与超强劲的MEMS振荡器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
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MEMS-Based石英谐振器和振荡器现在取代gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
联系MEMS:机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
现场可编程振荡器数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8925数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
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AN10002终止建议单端驱动单个或多个负载振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最好的设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10007时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10025可靠性计算SiTime振荡器gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
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J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
弹性和硅MEMS振荡器的可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
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使用一个振荡器的八大理由,而不是一个晶体谐振器gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优势——第2部分MEMS谐振器的工作原理betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何测量精度的长期抖动和Cycle-to-cycle抖动时间应用gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性和测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
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SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
PCI Express Refclk抖动合规使用相位噪声分析仪gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS的优势时间参数gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器——革新市场时机gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
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QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
时机汽车系统的解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
AN10073如何建立一个实时示波器测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
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AN10070计算领带波峰因素Non-telecom应用程序gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10072确定相位噪声的主要来源,通过检查gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10074把示波器噪声从均方根抖动测量gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba