sit8925bm - 32 - 25 - e - 125.000000gydF4y2Ba

sit8925bm - 32 - 25 - e - 125.000000gydF4y2Ba

设备类型gydF4y2Ba 汽车和高温振荡器gydF4y2Ba
频率gydF4y2Ba
125兆赫gydF4y2Ba
频率稳定度(ppm)gydF4y2Ba
25gydF4y2Ba
工作温度范围(°C)gydF4y2Ba
-55年到125年gydF4y2Ba
输出类型gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
电源电压(V)gydF4y2Ba
2.50gydF4y2Ba
包装尺寸(毫米x毫米)gydF4y2Ba
5.0 x3.2gydF4y2Ba
包高度(毫米)gydF4y2Ba
0.75gydF4y2Ba
输出驱动力量*gydF4y2Ba
默认的gydF4y2Ba
功能销gydF4y2Ba
允许输出gydF4y2Ba
拉范围(PPM PR)gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
传播比例gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
摇摆不定的选择gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
直流耦合输出VOL或交流摆动gydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
DC-Coupled输出VOHgydF4y2Ba
N/AgydF4y2Ba
RoHSgydF4y2Ba
是的gydF4y2Ba

*详情见数据表gydF4y2Ba

立即购买gydF4y2Ba

在此网站下的订单只能在美国境内运输。请联系您的首选gydF4y2BaSiTime经销商gydF4y2Ba美国以外地区的订单gydF4y2Ba
还购买gydF4y2Ba
单位价格gydF4y2Ba
单位数gydF4y2Ba 单位成本gydF4y2Ba
1 - 9gydF4y2Ba 5.99美元gydF4y2Ba
10-49gydF4y2Ba 5.65美元gydF4y2Ba
50 - 99gydF4y2Ba 5.49美元gydF4y2Ba
100 - 200gydF4y2Ba 5.24美元gydF4y2Ba

独一无二的结合gydF4y2Ba

  • ±20ppm频率稳定性gydF4y2Ba
  • 超过-55至+125°C的汽车温度范围gydF4y2Ba
  • 2.0 x 1.6 mm封装:gydF4y2Ba
    • 适用于汽车和/或空间有限的操作环境gydF4y2Ba

十亿分之0.1 /gydF4y2BaggydF4y2Ba低gydF4y2BaggydF4y2Ba灵敏gydF4y2Ba

  • 在高振动条件下的最佳鲁棒性gydF4y2Ba

70gydF4y2BaggydF4y2Ba振动和10000gydF4y2BaggydF4y2Ba冲击gydF4y2Ba

  • 恶劣环境下的最佳系统可靠性gydF4y2Ba

可配置驱动强度和上升/下降时间gydF4y2Ba

  • 优化EMI,减少对其他子系统的干扰gydF4y2Ba

5个行业标准包gydF4y2Ba

  • 100%替代石英XOgydF4y2Ba

超快交货时间(4 - 6周)gydF4y2Ba

  • 降低库存成本gydF4y2Ba

  • 缓解短缺风险gydF4y2Ba

  • 信息娱乐gydF4y2Ba
  • ADAS电脑gydF4y2Ba
  • 相机gydF4y2Ba
  • 雷达和激光雷达gydF4y2Ba
  • 汽车以太网gydF4y2Ba
  • 动力系统gydF4y2Ba
  • 黑盒gydF4y2Ba
  • 国防与航空航天gydF4y2Ba
  • 汽车晶体替代gydF4y2Ba
  • 无线充电器gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

文档名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
4L-QFN组件组成报告(SiT160X, SiT800X, SiT1618, SiT89XX)gydF4y2Ba 成分报告gydF4y2Ba
电子产业公民联盟模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime产品制造笔记gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime冲突金属声明gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime环境政策gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime对日期代码的保证gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
冲突矿物报告模板gydF4y2Ba 其他质量文件gydF4y2Ba
SiTime振荡器可靠性报告(0.18微米CMOS工艺产品)gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- UTACgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- ASEgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
4L-QFN包装合格报告- CarsemgydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
SiT16XX, SiT89XX高温产品合格报告gydF4y2Ba 可靠性报告gydF4y2Ba
台积电晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
Tower Jazz Wafer SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
4L/6L-QFN包装均质材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
博世晶圆SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
WLCSP包装均匀材料和SGS报告gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
SiTime环境合规声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba
合格证书-欧盟RoHS声明gydF4y2Ba RoHS /实现/绿色证书gydF4y2Ba

Eval董事会gydF4y2Ba(gydF4y2Ba接触SiTimegydF4y2Ba)gydF4y2Ba- SiT6095 (2016) | SiT6081 (2520) | SiT6082 (3225) | SiT6083 (5032) | SiT6084 (7050)gydF4y2Ba

频率斜率(dF/dT)计算器gydF4y2Ba-计算频率斜率超过温度gydF4y2Ba

时间机器II程序员gydF4y2Ba-程序频率,电压,稳定性和更多gydF4y2Ba

可靠性的计算器gydF4y2Ba-获取各种操作条件下的FIT/MTBF数据gydF4y2Ba

2016年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba2520年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba3225年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba5032年4-PinsgydF4y2Ba|gydF4y2Ba7050年4-PinsgydF4y2Ba-预览软件包与QFN 3D步骤模型gydF4y2Ba

狭窄:gydF4y2Ba

资源名称gydF4y2Ba 类型gydF4y2Ba
SiT8925 125 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8925 133 mhz LVCMOSgydF4y2Ba 频率测试报告。gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 1.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.5 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.8 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
SiT8925 (LVCMOS, 2.25 to 3.63 V)gydF4y2Ba 宜必思模型gydF4y2Ba
硅MEMS的可靠性和弹性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
性能比较:硅MEMS与石英振荡器gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS振荡器在工业和高可靠性应用中提高时钟性能gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量时钟抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
如何获得即时振荡器与SiTime的新现场程序员gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS与石英供应链gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
使用超健壮的MEMS振荡器提高汽车的可靠性和性能gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
医疗应用领域可编程定时解决方案gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
mems谐振器和振荡器正在取代石英gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
get In Touch with MEMS: The机电接口gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
Field Programmable Oscillators DatasheetgydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
SiT8925数据表gydF4y2Ba 数据表gydF4y2Ba
时间机器II MEMS振荡器程序员gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
J-AN10002シングルエンド発振器の推奨終端方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10002用于单端振荡器驱动单个或多个负载的终止建议gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10006発振器のPCBデザインのガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10006最佳设计和布局实践gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
时钟抖动的定义和测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10007クロックジッタの定義と測定方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SiTime発振器の信頼性計算方法gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime振荡器的可靠性计算gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
J-AN10028プローブを使用した発振器の出力波形計測方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
AN10028探测振荡器输出gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
MEMSおよび水晶ベース発振器の電磁場感受率の比較gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS与石英振荡器的磁化率比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS発振器と水晶発振器の性能比較(耐衝撃と耐振動)gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
MEMS和石英振荡器的冲击和振动比较gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
J-AN10033発振器の周波数測定ガイドラインgydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
シリコンMEMS発振器の耐性および信頼性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTimeのMEMS第一™プロセス技術gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
SiTime的MEMS First™和EpiSeal™工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
使用振荡器而不是晶体谐振器的8大原因gydF4y2Ba 白皮书gydF4y2Ba
MEMS谐振器的优点- MEMS谐振器的工作原理2betway开户官网gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
在精密定时应用中如何测量长期抖动和周期到周期抖动gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
SC-AN10007时钟抖动定义与测量方法gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
SC-AN10033振荡器频率测量指南gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
相位噪声测量教程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动顺应性gydF4y2Ba 演讲gydF4y2Ba
MEMS定时参数的优点gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime MEMS振荡器-革新时机市场gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第1部分:如何安装振荡器编程软件gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
SiTime的时间机器II -第2部分:如何对现场可编程振荡器进行编程gydF4y2Ba 视频gydF4y2Ba
QFN 2016 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 2520 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 3225 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 5032 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
QFN 7050 4-PinsgydF4y2Ba 3 d步模型gydF4y2Ba
AEC-Q100汽车振荡器gydF4y2Ba 产品简介gydF4y2Ba
汽车系统定时解决方案gydF4y2Ba 小册子和传单gydF4y2Ba
SiTime MEMS第一工艺gydF4y2Ba 技术论文gydF4y2Ba
如何设置实时示波器来测量抖动gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
计算非电信应用TIE波峰因子gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
通过检测确定相位噪声的主要来源gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba
从RMS抖动测量中去除示波器噪声gydF4y2Ba 应用笔记gydF4y2Ba