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- SiT1252嵌入式谐振器
- 说明：
  低抖动，10输出MEMS抖动清洁器
- 说明：
  低抖动8输出MEMS网络同步器
- 说明：
  低抖动，11输出MEMS网络同步器
- 说明：
  低抖动，10输出MEMS时钟发生器
- 说明：
  低抖动，11输出MEMS时钟发生器
- 说明：
  标准频率±10至±50 ppm差分XO
- 说明：
  1至220 MHz，±10至±50 ppm差分XO
- 说明：
  220至625 MHz，±10至±50 ppm差分XO
- 说明：
  标准频率超低抖动差分XO
- 说明：
  1至220 MHz，超低抖动差分XO
- 说明：
  220至725 MHz，超低抖动差分XO
- 说明：
  标准网络频率的超低抖动差分XO
- 说明：
  标准网络频率的低抖动差分XO
- 说明：
  3.57至77.76兆赫，低功率振荡器
- 说明：
  1至110兆赫，SOT23振荡器
- 说明：
  115至137兆赫，SOT23振荡器
- 说明：
  1至110兆赫，低功率振荡器
- 说明：
  115至137兆赫，低功率振荡器
- 说明：
  1至80 MHz，±10至±50 ppm振荡器
- 说明：
  80至220 MHz，±10至±50 ppm振荡器
- 说明：
  标准频率，高温振荡器
- 说明：
  1至110 MHz，高温（-40至+125°C）SOT23振荡器
- 说明：
  115至137 MHz，高温（-40至+125°C）SOT23振荡器
- 说明：
  1至110 MHz，宽温度（-55至+125°C）SOT23振荡器
- 说明：
  119至137 MHz，宽温度（-55至+125°C）SOT23振荡器
- 说明：
  1至110兆赫，宽温度AEC-Q100 SOT23振荡器
- 说明：
  115至137兆赫，宽温度AEC-Q100 SOT23振荡器
- 说明：
  1至110 MHz，高温振荡器（-40至+125°C）
- 说明：
  115至137 MHz，高温振荡器（-40至+125°C）
- 说明：
  1至110 MHz，宽温度振荡器（-55至+125°C）
- 说明：
  119至137 MHz，宽温度振荡器（-55至+125°C）
- 说明：
  1至110 MHz，宽温度AEC-Q100振荡器（-55至+125°C）
- 说明：
  115至137 MHz，宽温度AEC-Q100振荡器（-55至+125°C）
- 说明：
  1至220兆赫，AEC-Q100超低抖动差分XO
- 说明：
  220至725 MHz，AEC-Q100超低抖动差分XO
- 说明：
  1至150兆赫，AEC-Q100扩频振荡器
- 说明：
  1至220兆赫，差分扩频振荡器
- 说明：
  1至110兆赫，低功率扩频振荡器
- 说明：
  1至141兆赫，扩频振荡器
- 说明：
  1至220兆赫超低抖动差分压控振荡器
- 说明：
  220至725兆赫超低抖动差分压控振荡器
- 说明：
  标准频率VCXO
- 说明：
  1至80 MHz，±10至±50 ppm VCXO
- 说明：
  80至220 MHz，±10至±50 ppm VCXO
- 说明：
  1至220 MHz，±10至±50 ppm数字控制XO
- 说明：
  1至220 MHz，差分数字控制XO
- 说明：
  220至625 MHz，差分数字控制XO
- 说明：
  1至340MHz I2C/SPI可编程振荡器
- 说明：
  340至725 MHz I2C/SPI可编程振荡器
- 说明：
  1至60 MHz，地层3E OCXO
- 说明：
  1至60 MHz，地层3E DCOCXO
- 说明：
  用于GNSS/GPS的±0.5 ppm超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±0.5至±2.5 ppm超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±0.5至±2.5 ppm超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，第3层超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，第3层超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±50 ppb超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±50 ppb超级TCXO
- 说明：
  1至220 MHz，±5 ppm差分（VC）TCXO
- 说明：
  220至625 MHz，±5 ppm差分（VC）TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±0.5至±2.5 ppm AEC-Q100超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±0.5至±2.5 ppm AEC-Q100超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±0.1至±2.5 ppm AEC-Q100超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±0.1至±2.5 ppm AEC-Q100超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±0.5至±2.5 ppm超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±0.5至±2.5 ppm超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±0.1至±0.25 ppm精密超级TCXO
- 说明：
  1至60 MHz，±50 ppb精度超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±50 ppb精度超级TCXO
- 说明：
  60至220 MHz，±0.1至±0.25 ppm精密超级TCXO
- 说明：
  115至137 MHz，扩展温度（-55°C至125°C）SOT-23振荡器
- 说明：
  1至110 MHz，扩展温度（-55°C至125°C）SOT-23振荡器
- 说明：
  115至137 MHz，扩展温度（-55°C至125°C）振荡器
- 说明：
  1至110 MHz，扩展温度（-55°C至125°C）振荡器
- 说明：
  1至150 MHz，扩频，扩展温度（-55°C至125°C）
- 说明：
  1至220兆赫，超低抖动，±10至±50 ppm差分振荡器
- 说明：
  220至725兆赫，超低抖动，±10至±50 ppm差分振荡器
- 说明：
  1至340兆赫，超低抖动，±20至±50 ppm，I2C可编程振荡器
- 说明：
  340至725兆赫，超低抖动，±20至±50 ppm，I2C可编程振荡器
- 说明：
  220至725 MHz，超低抖动，±15至±50 ppm VCXO
- 说明：
  1至220 MHz，超低抖动，±15至±50 ppm VCXO
- 说明：
  超小型，低功耗，低抖动，±5 ppm，32.768 kHz TCXO
- 说明：
  超小型，低功耗，低抖动，1赫兹至2.5兆赫振荡器
- 说明：
  超小功率，32.768 kHz石英XTAL替代品
- 说明：
  µ功率，32.768 kHz石英XTAL更换
- 说明：
  超小低抖动，32.768 kHz±50 ppm振荡器
- 说明：
  超低功率，超小型32.768千赫或16.384千赫振荡器
- 说明：
  超小型低抖动，32.768-kHz±100 ppm振荡器
- 说明：
  超小µ功率，±5至±20 ppm，32.768 kHz TCXO
- 说明：
  超小型，低功耗，低抖动，±3至±5 ppm，32.768 kHz TCXO
- 说明：
  超小型低功率，±5 ppm，32.768 kHz TCXO，带系统内自动校准
- 说明：
  超小功率，1 Hz至32.768 kHz振荡器
- 说明：
  超小型低功率，1 Hz至462.5 kHz，±50 ppm振荡器
- 说明：
  超小型低功耗、低抖动、1 Hz至2.5 MHz TCXO
- 说明：
  超小型，低功耗，低抖动，1赫兹至2.5兆赫振荡器
- 说明：
  1至26兆赫，超小功率振荡器
- 说明：
  嵌入式MEMS谐振器
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SiT1552型

超小µ功率，±5至±20 ppm，32.768 kHz TCXO

SiTime的TempFlat MEMS技术在1.2mm2芯片级封装中实现了第一个32 kHz TCXO，这是世界上最小的封装。典型的核心电源电流只有1μA。与标准振荡器不同，SiT1552采用纳米驱动器™，一个工厂可编程输出，减少电压摆动，以尽量减少功率。SiT1552在多个温度点上经过工厂校准，以保证从±5 ppm到±20 ppm（初始和超温）的极为紧密的频率稳定性。

视频演示：SiT1552放置在提高温度的温度室中。从<-40到+85°C，以每秒4度的快速爬坡率。

查看相关产品：1赫兹至2.5兆赫|2.5ns相位抖动|±3 ppm

振荡器类型	32千赫TCXO
频率	32.768千赫
频率稳定性（ppm）	±5, ±10, ±20
输出类型	LVCMOS，纳米驱动器™
纳米驱动器™	300mV至700mV，全摆幅LVCMOS
工作温度范围（°C）	-0到+70，-40到+85
电源电压（V）	1.5至3.63
包装类型（mm²）	1.5x0.8英寸
特征	最小尺寸
可利用性	生产

±10 ppm全包频率稳定性

改进了本地计时和系统电源，减少了对移动和可穿戴设备的网络计时更新的依赖

芯片规模最小（CSP）

1.5 x 0.8毫米：节省电路板空间

纳米功率：990 nA（典型值）

最大限度延长电池寿命

纳米驱动器™ 减小摆动振荡器输出

可编程输出摆幅使功率最小化

内部VDD电源滤波

消除外部VDD旁路电容器，以保持超小的占地面积

智能电表（AMR）
健康监测器
每秒脉冲（PPS）计时
医用电子学
零售电子产品
远程通信
机对机（M2M）
资产跟踪
智慧农业
智慧城市
智能手表
健身跟踪器
家用电器

文件名	类型
WLCSP包装组成报告（SiT15XX、SiT8021）	成分报告
电子行业公民联盟模板	其他质量文件
SiTime振荡器的制造说明	其他质量文件
SiTime冲突金属声明	其他质量文件
SiTime环境政策	其他质量文件
SiTime保修日期代码（16.72 kB）	其他质量文件
ISO9001:2015注册证书	其他质量文件
冲突矿产报告模板	其他质量文件
SiTime振荡器可靠性报告（0.18微米CMOS工艺产品）	可靠性报告
SiT1552产品鉴定报告	可靠性报告
SiT153X、SiT1552、SiT163X产品鉴定报告	可靠性报告
台积电晶圆SGS报告	RoHS/Reach/绿色证书
塔楼爵士威化SGS报告	RoHS/Reach/绿色证书
博世晶圆SGS报告	RoHS/Reach/绿色证书
WLCSP包装同质材料和SGS报告	RoHS/Reach/绿色证书
SiTime环境合规声明	RoHS/Reach/绿色证书
符合欧盟RoHS声明的证书	RoHS/Reach/绿色证书

资源名称	类型
硅MEMS可靠性与弹性	演示文稿
硅MEMS与石英振荡器的性能比较	演示文稿
如何在精密定时应用中测量时钟抖动	演示文稿
在精密定时应用中如何测量相位抖动和相位噪声	演示文稿
硅MEMS与石英供应链	演示文稿
SiT1552 32kHz TCXO常见问题	常见问题
适用于可穿戴设备的SiT1552 32 kHz TCXO	演示文稿
延长无线医疗设备的电池寿命	白皮书
MEMS振荡器：实现更小、更低功耗的可穿戴设备	白皮书
硅MEMS振荡器为LED照明提供了有利条件	白皮书
MEMS计时器延长了移动设备的待机寿命	白皮书
MEMS定时解决方案改善了触摸屏设备	白皮书
MEMS振荡器提高了电机控制应用的可靠性和系统性能	白皮书
基于MEMS的谐振器和振荡器正在取代石英	演示文稿
接触MEMS：机电接口	演示文稿
智能时钟技术延长可穿戴设备的电池寿命	演示文稿
SiT1552产品介绍	数据表
AN10002驱动单个或多个负载的单端振荡器终端建议	应用说明
J-AN10006発振のPCBデザインのガイドライン	应用说明
AN10006最佳设计和布局实践	应用说明
AN10007时钟抖动定义和测量方法	应用说明
J-AN10007クロックジッタの義と測	应用说明
地点	科技论文
AN10025 SiTime振荡器的可靠性计算	应用说明
J-AN10028プローブを使した発振の波形計測	应用说明
AN10028探测振荡器输出	应用说明
微机电系统	科技论文
MEMS与石英基振荡器的电磁敏感性比较	科技论文
微机电系统	科技论文
MEMS与石英基振荡器的冲击与振动比较	科技论文
J-AN10033発振の周波数測ガイドライン	应用说明
AN10033振荡器频率测量指南	应用说明
J-AN10037低消費電の32 kHz発振動	应用说明
低功耗MCU 32 kHz输入的AN10037优化SiT15xx驱动器设置	应用说明
J-AN10043 SiT15xxシリーズ（32千赫発振）の測ガイドライン	应用说明
AN10043 32 kHz SiT15xx振荡器测量指南	应用说明
シリコンMEMS発振の耐恋および信頼恋	科技论文
硅MEMS振荡器的弹性和可靠性	科技论文
J-AN10046 32 kHz纳米功率MEMS	应用说明
使用32 kHz纳米功率MEMS振荡器驱动多个负载的AN10046	应用说明
先走一步™ プロセス技術	科技论文
史提姆是第一个™ 和书信体™ 过程	科技论文
使用振荡器代替晶体谐振器的8大理由	白皮书
MEMS谐振器的优点——MEMS谐振器的工作原理第2部分betway开户官网	演示文稿
如何在精密定时应用中测量长期抖动和周期间抖动	演示文稿
硅MEMS振荡器频率特性及测量技术	演示文稿
ITU-T标准中的AN10052 IEEE 1588精确时间协议（PTP）	应用说明
南卡罗来纳州	应用说明
SC-AN10033振荡频率量指南	应用说明
SiTime MEMS公司	应用说明
AN10062振荡器相位噪声测量指南	应用说明
相位噪声测量教程	视频
相位噪声测量教程（下载MP4视频）	视频
使用相位噪声分析仪的PCI Express Refclk抖动符合性	演示文稿
MEMS定时参数的优点（下载MP4视频）	视频
硅取代石英（中文字幕）（下载MP4视频）	视频
硅取代石英（日文字幕）（下载MP4视频）	视频
SiT1552 32 kHz TCXO温度稳定性（下载MP4视频）	视频
SiTime MEMS振荡器-革新计时市场（下载MP4视频）	视频
电子峰会上的SiTime MEMS振荡器和时钟发生器（下betway手机客户端载MP4视频）	视频
培训模块：用振荡器代替晶体（下载MP4视频）	视频
SiTime如何为物联网、可穿戴和移动应用程序节省空间	视频
SiTime如何为物联网、可穿戴和移动应用程序节省空间（下载MP4视频）	视频
CSP 1508 4针	三维台阶模型
SiTime MEMS定时解决方案（8.5x11）	MEMS定时解决方案手册/传单
SiTime MEMS定时解决方案（A4）	MEMS定时解决方案手册/传单
SiTime MEMS定时解决方案（A4）中文版	MEMS定时解决方案手册/传单
移动和物联网定时解决方案	MEMS定时解决方案手册/传单
SiT6098EBB评估板用户手册	用户手册
硅取代石英（日文字幕）	视频
硅取代石英（中文字幕）	视频
智能电表	应用程序简介
SiT1552（LVCMOS，1.5 V）	IBIS模型
SiT1552（LVCMOS，1.8 V）	IBIS模型
SiT1552（LVCMOS，3.3 V）	IBIS模型

SiT1552型

超小µ功率，±5至±20 ppm，32.768 kHz TCXO

±10 ppm全包频率稳定性

芯片规模最小（CSP）

纳米功率：990 nA（典型值）

纳米驱动器™ 减小摆动振荡器输出

内部VDD电源滤波

缩小范围：

缩小范围：

SiT1552型

超小µ功率，±5至±20 ppm，32.768 kHz TCXO

±10 ppm全包频率稳定性

芯片规模最小（CSP）

纳米功率：990 nA（典型值）

纳米驱动器™ 减小摆动振荡器输出

内部VDD电源滤波

缩小范围：

缩小范围：

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